- 記者報道了"應用材料西安全球研發(fā)中心疑似落幕"一文,近日,應用材料針對此事回應,應用材料公司仍然對太陽能產業(yè)保持堅定信心。
應用材料表示,近幾年,太陽能產業(yè)能夠在每年成本持續(xù)下降的情況下提供更多更好的技術,同時全球市場對太陽能組件的需求也持續(xù)增加。太陽能終端市場在迅速增長,而很少有電子市場能保持如此高的增長速度。
應用材料指出,由于市場低迷的時間比我們此前預期的還要長,因此,應用材料公司近期減少在西安太陽能技術研發(fā)中心(STC)的部分資產規(guī)模,重新部署部分技術人員使其更
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應用材料 半導體
- 美國光伏項目開發(fā)商SunEdison Inc(SUNE)周一宣布,已申請將其半導體子公司SunEdison Semiconductor分拆上市,籌資至多2.50億美元,以專注于高利潤率的太陽能業(yè)務。
該公司上月已表示,計劃于明年初通過一次IPO出售新組建的半導體子公司的少數(shù)股份,并將收益用于建設太陽能發(fā)電場。
SunEdison原名MEMC電子材料公司,是世界第四大半導體硅片生產商,由于太陽能電池板價格的持續(xù)疲軟,該公司也和SunPower以及First Solar等其他太陽能公司一樣開始
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SunEdison 半導體
- 根據半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)發(fā)布的世界半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)資料顯示,盡管日本半導體市場銷售下滑,但在美洲地區(qū)強勁成長的表現(xiàn)下,2013年7月全球晶片的平均銷售額較2012年同期成長了5.1%,不但連續(xù)第5個月成長,也創(chuàng)下今年以來的最佳紀錄。
7月份全球半導體3個月移動平均銷售額較去年成長了5.1%,達到255.3億美元。市場研究機構Carnegie Group 的分析師Bruce Diesen表示,這一數(shù)字大幅超越了先前預測的249億美元。
先前月份的平均銷售額每年約成長2.1%
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半導體 芯片
- 2013年1-7月,我國自臺灣地區(qū)進口集成電路為440億美元,同比增長79%,占同期總值的32%。集成電路是我國與臺灣地區(qū)產生貿易逆差的主要商品,2012年為440億美元,今年1~7月為385億美元。
同期從韓國、馬來西亞分別進口255億美元和168億美元,分別以18%和12%的份額列第二、三位。其他進口來源地分別為美國、日本、新加坡、菲律賓等。
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集成電路 半導體
- 德州儀器(TI) (NASDAQ:TXN) 日前宣布謝兵升任為TI副總裁暨全球銷售與營銷副總經理一職。在新的職責中,謝兵將負責推動TI全球銷售的關鍵戰(zhàn)略在各區(qū)域的執(zhí)行。
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TI 半導體 營銷
- 臺灣蟬聯(lián)2013年全球半導體設備與材料投資金額雙料冠軍。在臺積電領軍下,今年臺灣半導體設備與材料的投資金額持續(xù)領先全球,并分別達到104.3億美元與105.5億美元;至于全球半導體設備支出金額方面則與去年相當,維持在362.9億美元上下,預估2014年可回升至439.8億美元。
鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導體產業(yè)協(xié)會理事長盧超群表示,臺灣半導體業(yè)者為鞏固全球領先地位,正持續(xù)加碼設備與材料的投資金額。
鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導體產業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長盧超群表示,盡管過去3年全球半導體產值每年
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臺積電 半導體
- 國際半導體展(SEMICON Taiwan 2013)4日開展,經濟部長張家祝致詞時表示,臺灣半導體產業(yè)在全球供應鏈上扮演不可或缺的角色,在全球具有高度競爭力,去年(2012年)臺灣半導體產業(yè)產值達1.6兆新臺幣,預估今年(2013年)將成長9.3%,再創(chuàng)新高。
張家祝表示,臺灣是全球半導體產業(yè)中最重要的國家之一,從IC設計、晶圓代工到封裝測試等服務,形成完整的產業(yè)聚落,從去年臺灣半導體產值達到新臺幣1.6兆元,預計今年會比去年成長9.3%,可望再創(chuàng)歷史新高。
張家祝指出,臺灣半導體產業(yè)所
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晶圓代工 封測 半導體
- 8月的最后一個周三,全球半導體產業(yè)的非盈利機構GSA(半導體聯(lián)盟)迎來一名新成員,英文名XMC。
說到這位“新人”,GSA亞太區(qū)執(zhí)行長王智立博士這樣描述:“在新興半導體制造領域中,XMC正扮演著創(chuàng)新且重要的角色”。
這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”),目前芯片產能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產線建成,經歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野,卻代表著光谷的雄心&mdas
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半導體 光纖
- 臺灣半導體產業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長暨鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示,今年將是3D IC從研發(fā)到導入量產的關鍵年,3D IC元年最快明年來臨,往后十年半導體產業(yè)將走出一個大多頭,重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導體產業(yè)帶來的爆發(fā)性成長。
隨著矽元件趨近納米極限,摩爾定律開始遭遇瓶頸,各界期盼立體堆疊3D IC技術延續(xù)摩爾定律
存儲器芯片設計公司鈺創(chuàng)董事長盧超群上半年接任臺灣半導體產業(yè)協(xié)會理事長,他希望透過協(xié)會的影響力,帶領臺灣半導體產業(yè)參與各項國際半導體規(guī)格制定、提升人才參與及素質,并讓國內外科技投
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半導體 3D
- 曼谷和東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)宣布,該公司旗下的泰國公司東芝半導體(泰國)公司(Toshiba Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.,簡稱TST)已經完成向新半導體制造工廠的搬遷工作,并開始量產,象徵著該公司已經從2011年災難性大洪水中完全恢復過來。
新廠位于曼谷東北方向約140公里處,這是一座位于泰國巴真府(Prachinburi)304工業(yè)園區(qū)的最先進工廠。這座工廠的建設始于2012
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東芝 半導體
- :ICInsights日前公布2013年上半年全球前十大半導體廠營收排名,其中,日本半導體業(yè)者受到產業(yè)競爭加劇及垂直整合商業(yè)模式式微的沖擊,進榜業(yè)者已愈來愈少,目前僅存東芝(Toshiba)一家仍榜上有名,相較于1990年時最多六家同時上榜的紀錄已大幅減少。
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2013年前十大半導體廠排名 日本急劇衰落
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Toshiba 半導體
- 將助推石墨烯在半導體工業(yè)界廣泛應用
記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,該所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組與超導課題組,采用化學氣相淀積法,在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質量單層石墨烯。相關成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學報告》。
石墨烯在機械、電學、光學和化學方面的優(yōu)異性能,使其具有巨大的應用前景。目前,化學氣相沉積法是制備高質量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是,在石墨烯的生長過程中,金屬基底是必不可少的催化劑,而隨后的應用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉移到所需要的絕緣或者半
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石墨烯 半導體
- 第三代半導體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出,最有發(fā)展前景。第三代半導體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石,其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導率和更成熟的技術,而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應用范圍上的差異,在光電領域,GaN占絕對的主導地位,而在其他功率器件領域,SiC適用于1200V以上的高溫大電力領域,GaN則更適用900V以下的高頻小電力領域。目前來看,未來2
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半導體 晶圓制造
- 電子板塊五個交易日上漲2.46%,排在23個行業(yè)中第4位,成交金額512.70億元,資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為:億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為:華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。
行業(yè)動態(tài)觸控筆記本OGS面板低價版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內液晶電視面板自給率超過3成
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半導體 電子設備
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代,設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后,另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布,同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈,對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高,但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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半導體 20納米
半導體 介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [
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