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驅(qū)動未來 | 一文速覽功率放大器基礎知識及經(jīng)典應用！

關于功率放大器功率放大器的概念&組成概念：在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動一些阻性、容性、感性負載（如壓電陶瓷、換能器、電磁線圈、介電彈性體、超聲電機、揚聲器等等）的放大器。組成：功率放大器可以由以下幾個部分組成：模擬前端電路、增益控制電路、功率放大電路、輸入輸出匹配電路。功率放大器的分類分類：我們一般將功率放大器分為：A類、B類、AB類、C類、D類、E類、F類。正文有點長，可以收藏慢慢看A類功放：屬于線性功放，特
關鍵字：安泰電子功率放大器

ATA-304C功率放大器在半波整流電化學方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應用

實驗名稱：ATA-304C功率放大器在半波整流電化學方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應用實驗方向：環(huán)境電化學實驗設備：ATA-304C功率放大器，信號發(fā)生器、蠕動泵、石墨棒等實驗目的：在半波整流電化學方法中，以聚苯胺修飾碳氈電極（PANI/CF）為陰極，利用功率放大器及信號發(fā)生器等設備組裝了用于去除低濃度含鉛廢水中鉛離子的裝置。該研究豐富了對基于半波整流電化學法處理低濃度含鉛廢水機理的認識，為進一步加快該方法的實際應用提供了基本理論支撐。實驗過程：如圖所示，我們組裝了一個單室、無
關鍵字：安泰電子功率放大器半波整流電化學

ATA-P2010功率放大器在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點膠性能測試中的應用

實驗名稱：ATA-P2010功率放大器在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點膠性能測試中的應用實驗方向：封裝技術實驗設備：ATA-P2010功率放大器，信號發(fā)生器、撞擊式壓電噴射閥、高精度電子秤和顯微鏡實驗目的：通過功率放大器驅(qū)動壓電噴射系統(tǒng)，驗證撞擊式壓電噴射閥在不同控制策略下膠點質(zhì)量、氣泡含量等點膠性能。實驗過程：為了評估膠粘劑在不同控制策略下的分配性能，包括液滴體積和氣泡含量，本研究構建了撞擊式壓電噴射系統(tǒng)的新控制策略實驗平臺，如圖5.9所示。該平臺包括控制
關鍵字：安泰電子，功率放大器

分享8款100w功放電路圖

01D類100w功放電路介紹一款采用普通元件制作的D類100W功放電路，供廣大音響爰好者參考。電路如圖1所示。元件選擇要點：Ic1選用雙D觸發(fā)器CD4013。IC2選用高速MOSFET驅(qū)動電路TC4426，該芯片在4．5V～18V供電范圍內(nèi)均能穩(wěn)定地工作，其輸出驅(qū)動電流高達1．5A，而輸出阻抗只有7Ω（內(nèi)部電路如圖2所示），因此是驅(qū)動數(shù)字功放中MOSFET功放管的理想器件。輸出管選用NMOS場效應管IRFP140（100V，30A，150W）。D1、D2選用高速肖特基二極管MBR150，如果買不到MBR1
關鍵字：功率放大器模擬電路電路設計

功放的ABCD類

1、純Class A（甲類）功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時，晶體管的正負通道不論有或沒有信號都處于常開狀態(tài)，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類功率放大器在汽車音響的應用中比較少見，像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這類功率放大器。這是因為純甲類功率放大器的效率非常低，通常只有20-30%，音響發(fā)燒友們對它的聲音表現(xiàn)津津樂道。小信號放大器主要包括：共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器，如果這種小信號放
關鍵字：功率放大器模擬電路晶體管

如何測量功率放大器性能？為什么EVM和ACPR很重要？一篇文章帶你了解功率放大器測量

G應用帶來了通信技術的革命性變革，在無線通信系統(tǒng)中，功率放大器(Power Amplifier, 簡稱PA)占據(jù)傳輸鏈的最后一級，為天線提供所需的射頻功率，是通信系統(tǒng)中射頻鏈路質(zhì)量的重要貢獻者。如圖1所示。功率放大器(PA)是5G發(fā)射機傳輸質(zhì)量和電池壽命的關鍵決定因素。? 圖1 典型通信射頻傳輸鏈路在很多表征功率放大器性能的指標中，誤差矢量幅度（EVM）和鄰道功率比（ACPR）是最為關鍵的，EVM和ACPR指標可以量化功率放大器的非線性性能。通常使用EVM作為帶內(nèi)失真的考量，而ACPR則用來衡量帶外特性。
關鍵字：是德科技功率放大器 EVM ACPR

預補償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲

1 ?摘要如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。?然而，在放大器啟動或關閉時，以及在靜音 / 取消靜音??切換期間，揚聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點擊聲。這些 ?噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中???靜音功率放大器是避免在啟動或關閉期間出現(xiàn)爆裂聲的??有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時播放音樂，有時停止播 ?放，這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此，爆裂 ?聲是頻
關鍵字： 202409 預補償 Class D 功率放大器爆裂噪聲

推挽式B類功率放大器的基本原理

了解推挽式B類放大器的工作原理，如何計算其效率，以及其性能與電感性負載A類設計的比較。正如我們在上一篇文章中所討論的，單晶體管B類放大器（圖1）使用高Q諧振電路作為負載來抑制較高的諧波分量。通過使用高Q諧振電路，輸出電壓僅包含基波分量，使放大器能夠忠實地再現(xiàn)輸入信號。通過短接諧波分量，高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波，盡管集電極電流是半波整流的正弦波。單晶體管B類RF放大器的電路圖。圖1：單晶體管B類RF放大器。除了使用高Q電容器，我們還可以通過迫使兩個半正弦波脈沖以相反方向通過負載來消除B
關鍵字：推挽式功率放大器

B類功率放大器介紹

B類功率放大器是如何工作的？是什么讓它比A類功率放大器更高效？在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器（PA）在許多應用中都至關重要，從手持通信設備到大型有源元件相控陣天線。例如，在上述手持設備中，更高的效率意味著更低的功耗，從而可以延長通話時間。我們在之前的文章中了解到，電感性負載的A類放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類功率放大器，其理論最大效率為78.5%。在討論了B類放大器的基本特性后，我們將探討效率差異的原因。請注意，本文中使用的分析表達式是近似的，因為它們涉及大信號和強非線性，
關鍵字：功率放大器

電感負載A類功率放大器簡介

了解電感負載共射極級如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負載共發(fā)射極電路作為功率放大器（PA）的挑戰(zhàn)和局限性。在最后一節(jié)中，我們了解到，通過使用大型電感器作為共發(fā)射極配置的負載，可以解決許多挑戰(zhàn)。在本文中，我們將更全面地研究電感性負載的A類放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負載共射極配置開始我們的研究。電感負載共射極放大器的電路圖。圖1：電感負載共射極放大器的簡單版本您可能已經(jīng)注意到，圖1看起來與我們上次介紹的電感負載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同，該電路缺少
關鍵字：電感負載共射極放大器功率放大器

A類功率放大器簡介：共發(fā)射極PA

射頻放大器設計是一項具有挑戰(zhàn)性的任務，涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權衡。在這里，我們研究共發(fā)射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號放大器，它通常設計用于增益和線性，而不是功率傳輸。如果接下來的電路具有純電容輸入阻抗，則小信號放大器可能會提供特定的電壓或電流增益，而不會向?qū)嶋H負載傳輸任何明顯的功率。由于小信號放大器不處理高功率電平，因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設計要求。在接下來的幾篇文章中，我們將討論一些截然不同的內(nèi)容：射頻功率放大器。功率放大器（PA）出現(xiàn)在
關鍵字：射頻放大器功率放大器

車載功放輻射發(fā)射案例分析

車載功放輻射發(fā)射案例評論：此案例應該指出PCB板與金屬外殼的連接方式（是否連接，怎么連接）。以分析騷擾路徑。
關鍵字：功率放大器汽車電子

面向GaN功率放大器的電源解決方案

RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
關鍵字： Qorvo GaN 功率放大器

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
關鍵字： pHEMT 功率放大器有源偏置

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡
關鍵字： ADI pHEMT 功率放大器

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功率放大器介紹

功率放大器簡介　　利用三極管的電流控制作用或場效應管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波，即交流信號電流，三極管的集電極電流永遠是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數(shù)，應用這一點，若將小信號注入基極，則集電極流過的電流會等于基極電流的β倍，然后將這個信號用隔直電容隔離出來，就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號，這現(xiàn)象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細 ]