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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率因數(shù)校正（pfc）

功率因數(shù)校正（pfc） 文章 最新資訊

PFC電路：柵極電阻的更改

  • 在實際的電路設計工作中，降噪是的一項重大課題，通常，可以通過提高開關器件的柵極電阻來抑制噪聲，但其代價是效率降低（損耗增加），因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。在本文中，我們來探討當將開關器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實際裝機評估，所以在這里省略噪聲相關的探討。關鍵要點?增加開關元件的柵極電阻會抑制噪聲，但與之存在權衡關系的效率會降低，因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。?將開關器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時，其最大柵極電阻RG可以通過仿真來確認。
  • 關鍵字： ROHM  PFC  

隔離電流檢測放大器在PFC升壓系統(tǒng)中的應用

  • PFC( Power Factor Correction)被稱為“功率因數(shù)校正”，被定義為有效功率和總耗電量(視在功率)的比值。當使用于大中功率開關電源時，提高功率因數(shù)可以降低電網傳輸中的損耗從而提高電能的輸送效率。因此提高功率因數(shù)有著重要的意義。本文將為大家介紹川土微電子CA-IS120X/130X系列產品在PFC中的應用，并針對實際應用提出使用方法和控制建議。01 功率因數(shù)的定義功率因數(shù)定義為交流電路有功功率P(W)對視在功率S(V*A)的比值。當交流電壓和電流相位不同時，則功率因數(shù)小于1。用戶電器設
  • 關鍵字： 川土微電子  放大器  PFC  

安森美半導體推出新一代Multi-Mode (DCM & CCM) PFC IC–NCP1618應用于 500W 之防疫醫(yī)療儀器電源方案

  • 一場世紀病毒帶給人類天翻地覆的影響，全球對于救命的醫(yī)療儀器需求殷切，世平集團推出新一代PFC IC – NCP1618應用于 500W  之防疫醫(yī)療儀器電源，是采用安森美(ON Semi) 半導體新一代高效能NCP1618 Multi-Mode (DCM & CCM)  Power Factor Controller (多模操作之功率因數(shù)控制IC) . 此一IC 內建高壓啟動(HV Start-up)電路，智能轉換連續(xù)電流模式(CCM)、臨界電流模式(CrM) 及非連續(xù)電流模式
  • 關鍵字： 安森美  NCP1618  醫(yī)療  電源  PFC  DCM  CCM  

利用PFC電路減少諧波失真

  • 日常生活中，大家會發(fā)現(xiàn)工業(yè)用電電費會高于居民用電電費。從技術角度來解答是因為工業(yè)用電傳輸成本高，由于工業(yè)應用中的用電設備多為大功率電感或容性負載，其功率因數(shù)相對居民用電設備的功率因數(shù)較低，從而導致無功功率較高，損耗大，因此供電成本相對較高。而居民用電普遍為中小功率設備，耗電小，功率因數(shù)高，無功功率損耗少。本文將介紹功率因數(shù)（PF）和總諧波失真 (THD) 的概念，并回顧如何利用功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和 PFC 控制器來實現(xiàn)高功率因數(shù)并減少諧波失真。交流電的功率因數(shù)功率因素PF (λ) 是指有功功率
  • 關鍵字： MPS  PFC  

安森美半導體多元操作模式(CrM.DCM.CCM) PFC IC NCP1655應用于500W with STB電競桌機電源

  • 電腦發(fā)展至今已擴展至眾多領域，電競電腦及服務器運用因其高速、大容量和多重連線的特點，預期將為電競電腦及服務器帶來更多爆炸性的成長。相對電競及服務器電源需求也有等比例的需求成長。 因應電競電腦及服務器的應用普及，安森美提出高效能PFC多元操作模式IC NCP1655的設計方案，且NCP1655輸入電壓由90V至265VAC，無論在輕載/半載/全載情境下，皆能提高轉換效率。加上快速的負載暫態(tài)補償響應，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應后級電源時序控制，NCP1655應用達到高效率，
  • 關鍵字： Onsemi  CrM  DCM  CCM  PFC  NCP1655  電競  電源  

安森美半導體推出新一代Totem Pole 功率因數(shù)調整控制IC NCP1680 應用于300W超高效網通電源

  • 行動通訊電腦發(fā)展至今已近40年，第五代行動通訊技術(簡稱5G)是最新一代行動通訊技術，5G的效能目標是高資料速率、減少延遲、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量和大規(guī)模裝置連接。為因應5G基地臺應用普及節(jié)省電源需求，安森美半導體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680設計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合5G通訊訴求之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求，加上NCP1680快速的負載暫態(tài)補償響應，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有
  • 關鍵字： onsemi  NCP1680  Totem Pole PFC  圖騰柱  

Infineon 數(shù)字多模式PFC + LLC組合控制器 TV POWER應用

  • LCD TV 電視由 LCD 面板 、電源板、解碼板構成。據(jù)統(tǒng)計，每年的液晶電視出貨量為 2.15 億臺。隨著 LCD TV 電視能效標準提升，集成化、超薄化， 對 TV 電源的要求也傾向于小體積和高能效 ,本方案描述的演示板是一個120w的SMPS，使用數(shù)字PFC-LLC組合控制器IDP2308，該產品是由德國半導體公司英飛凌科技研制的第二代16pin數(shù)字組合控制器。IDP2308是專門為電視電源中的開關模式電源設計的系統(tǒng)應用方案。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案方塊圖?系統(tǒng)方框圖?核心技術優(yōu)
  • 關鍵字： infineon  2308  數(shù)字電源  數(shù)字多模式  PFC  

基于 NXP MC56F81768 的 2000W 之 PFC 數(shù)位電源方案

  • 數(shù)位電源 PFC 方案開發(fā)平臺數(shù)位電源漸漸普及到服務器、通訊設備、汽機車充電樁、個人電腦等，由于現(xiàn)在的電源功率越來越大，產品的規(guī)格要求越來越高，傳統(tǒng)類比電源由于硬體的限制，比較難達到這些需求，所以中高功率的電源供應器才會慢慢由傳統(tǒng)的類比控制轉變成數(shù)位方式來實現(xiàn)控制、管理、與監(jiān)測功能。 此開發(fā)板實現(xiàn) Single Phase PFC、Interleaved PFC、Bridgeless PFC 等架構，電源回路的主控制芯片采用 NXP DSC 系列新推出的 MC56F81768，最大功率
  • 關鍵字： 數(shù)字電源  數(shù)位電源  服務器電源  PFC  LLC  NXP  DSC  MC56F81768  

基于安森美PFC圖騰柱控制器NCP1681搭配GaN NCP58921的500W方案

  • 隨著半導體工藝的發(fā)展，計算速度的不斷提升，時鐘頻率和供電電流需要相應加快和增大，供電電壓則要求不斷降低。因此低電壓、大電流對電源轉換效率提出了更高要求。此外，電子產品的小型化、薄型化、輕型化，電源產品的功率密度越來越成為衡量電源產品技術水平的關鍵指標，也促使高效率高功率密度成為客戶選擇電源產品的關鍵指標。在此趨勢下，可在高頻率工作的GaN越來越多的被采用。安森美半導體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案，相較傳統(tǒng)PFC之
  • 關鍵字： 安森美  PFC  圖騰柱  NCP1681  NCP58921  

安森美網上研討會將探討圖騰柱PFC拓撲如何賦能更高能效的電源設計

  • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，將在大中華區(qū)舉辦普通話網上研討會直播，闡述公司專用于無橋圖騰柱功率因數(shù)校正 (TP PFC) 拓撲結構的先進混合信號控制器。該技術網上研討會主題為“圖騰柱PFC技術賦能更高能效的電源?”，將于中國時間6月23日上午10:00直播，介紹TP PFC技術如何不復雜地提高電源能效。安森美將講述針對超高密度離線電源的NCP1681。該新的控制器以適用于達350 W設計的 NCP1680的成功為基礎，將功率能力擴展到千瓦范圍。在過去，TP PFC設計需
  • 關鍵字： 圖騰柱  功率因數(shù)校正  

圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

  • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠實現(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
  • 關鍵字： 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復  電荷  效率  損耗  輸出電容  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉換器部分實施PFC，升壓轉換器會將整流后
  • 關鍵字： SiC FET  PFC  

碳化硅技術如何變革汽車車載充電

  • 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器，以增加負載的功率因數(shù)，從
  • 關鍵字： MOSFET  PFC  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

采用雙向PFC和混合變頻器解決方案，在儲能和太陽能博弈中處于領先地位

  • 住宅儲能市場雖然現(xiàn)在處于起步階段，但正位于爆炸式增長的邊緣。自2018年第一季度以來，僅在美國，該市場就同比增長了232％，而能源存儲在2019年第一季度的部署中占比為46％。如今，住宅儲能領域的規(guī)模比公用事業(yè)部署的規(guī)模要小。預計全球住宅儲能市場將從2019年的60億美元增長到2024年的175億美元；復合年增長率為22.88％（根據(jù)最新的?Wood Mackenzie美國能源存儲監(jiān)控器?。隨著具有各類背景和專業(yè)知識的新參與者進入市場，全球公司開始看到儲能的未來增長潛力。儲能開發(fā)人員要
  • 關鍵字： PFC  BOM  PV  
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