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封測(cè)廠10月?tīng)I(yíng)收內(nèi)存優(yōu)于邏輯IC

　　封測(cè)廠包括京元電子、欣銓科技、硅品精密、力成科技、華東科技和福懋科技等陸續(xù)公布10月?tīng)I(yíng)收。邏輯IC封測(cè)大廠硅品、晶圓測(cè)試廠京元電和欣銓科技實(shí)績(jī)呈現(xiàn)走跌，同時(shí)對(duì)第4季景氣以持平或下滑看待。而內(nèi)存封測(cè)廠表現(xiàn)較佳，力成、華東和福懋科在DRAM客戶產(chǎn)出增加，第4季接單攀升，10月?tīng)I(yíng)收較上月成長(zhǎng)，法人預(yù)料第4季營(yíng)收將仍可以成長(zhǎng)看待。　　硅品10月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣50.34億元，比上月減少3.5%，這是下半年以來(lái)連續(xù)2個(gè)月衰退。硅品董事長(zhǎng)林文伯指出，綜合國(guó)內(nèi)外芯片大廠第4季看法，普遍認(rèn)為會(huì)下滑，但對(duì)照系統(tǒng)廠樂(lè)
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相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧

相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧,　相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng)，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師
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次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮

　　繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開(kāi)發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM技術(shù)和材料，Elpida(爾必達(dá))與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮。內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來(lái)ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內(nèi)存)和MRAM(磁性隨機(jī)存取內(nèi)存)等次世代內(nèi)存，將會(huì)有一番激烈競(jìng)爭(zhēng)。　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開(kāi)發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù)，采用十字結(jié)構(gòu)，相
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成本下降 PC價(jià)格依然堅(jiān)挺

　　根據(jù)近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，盡管重要的PC元件已經(jīng)有很大的成本下降，但是PC的價(jià)格仍然是沒(méi)有多大變化。根據(jù)調(diào)查公司Context的調(diào)研數(shù)據(jù)來(lái)看，從九月開(kāi)始電腦內(nèi)存和硬件產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)三個(gè)月下降，今年六月份是價(jià)格達(dá)到頂峰的時(shí)期。 2010年6月一個(gè)1024MB DDR3內(nèi)存的平均樣本價(jià)是21英鎊，但是到了九月份同樣的產(chǎn)品已經(jīng)下降到了17英鎊，下降了多達(dá)20%。　
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9月看全年：全球IC市場(chǎng)“回歸正?！?/a>

　　目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場(chǎng)，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長(zhǎng)速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對(duì)此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長(zhǎng)G.DanHutcheson認(rèn)為，以上皆非，芯片產(chǎn)業(yè)在2010年的熱啟動(dòng)之后，將“回歸正常”。　　也就是說(shuō)，芯片市場(chǎng)會(huì)冷卻到某種程度，回到一個(gè)更合理的成長(zhǎng)周期;但該市場(chǎng)仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數(shù)字就是一個(gè)警訊，可能預(yù)示今年剩下的時(shí)間與明年，市場(chǎng)表現(xiàn)會(huì)不如預(yù)期。&ld

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茂德推遲擴(kuò)產(chǎn)63nm內(nèi)存芯片

　　在6月份成功試產(chǎn)63nm工藝內(nèi)存顆粒后，茂德本計(jì)劃將其基于該工藝的晶圓月產(chǎn)能提高到35000片，但是由于新設(shè)備的供貨受到延誤，這一計(jì)劃只能推遲到2011年了。　　茂德稱，到十月份時(shí)基于63nm工藝的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到10000片，到年底時(shí)預(yù)計(jì)晶圓產(chǎn)能在20000-25000片。　　72nm現(xiàn)在是茂德的主要處理工藝，按照之前計(jì)劃，他們要在2010年底時(shí)將該工藝半數(shù)多的產(chǎn)能轉(zhuǎn)化到63nm。茂德12寸晶圓廠現(xiàn)在的月產(chǎn)能在6萬(wàn)片。　　受到不斷下滑的DRAM顆粒價(jià)格下滑的影響，茂德9月份收入環(huán)比下降7.
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內(nèi)存價(jià)格10月份將持續(xù)下調(diào)

　　據(jù)HKEPC網(wǎng)站報(bào)道，市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價(jià)持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價(jià)趺破2美元關(guān)口， DDR3 2GB模塊合約價(jià)亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價(jià)下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價(jià)亦緊貼DDR3合約價(jià)下跌， DDR2 2GB模塊合約均價(jià)約為33美元水平，跌幅約為6% 。　　現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，由于廣州亞運(yùn)將于11月舉辦，大陸方
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分析師：2010年后芯片市場(chǎng)將回歸正常

　　目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場(chǎng)，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長(zhǎng)速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對(duì)此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長(zhǎng)G. Dan Hutcheson認(rèn)為，以上皆非，芯片產(chǎn)業(yè)在2010年的熱啟動(dòng)之后，將「回歸正?！?。　　也就是說(shuō)，芯片市場(chǎng)會(huì)冷卻到某種程度，回到一個(gè)更合理的成長(zhǎng)周期;但該市場(chǎng)仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數(shù)字就是一個(gè)警訊，可能預(yù)示今年剩下的時(shí)間與明年，市場(chǎng)表現(xiàn)會(huì)不如預(yù)期?！赣幸粋€(gè)說(shuō)法“
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體內(nèi)存

iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來(lái)首度出現(xiàn)正增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來(lái)的首次正增長(zhǎng)，不過(guò)據(jù)iSuppli公司分析，芯片制造成本正增長(zhǎng)的局面有望在數(shù)個(gè)季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來(lái)的首次成本正增長(zhǎng)，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。　　據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來(lái)越
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DSP芯片TMS320C6712的外部?jī)?nèi)存自引導(dǎo)功能的實(shí)現(xiàn)

DSP芯片TMS320C6712的外部?jī)?nèi)存自引導(dǎo)功能的實(shí)現(xiàn),TMS320C6000系列與TMS320C54系列的引導(dǎo)方式有很大差別。在開(kāi)發(fā)應(yīng)用TMS320C6000系列DSP時(shí)，許多開(kāi)發(fā)者，尤其是初涉及者對(duì)DSP ROM引導(dǎo)的實(shí)現(xiàn)有些困難，花費(fèi)許多時(shí)間和精力摸索。筆者結(jié)合開(kāi)發(fā)實(shí)例，介紹了實(shí)現(xiàn)外部存儲(chǔ)器
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來(lái)首次上升

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費(fèi)用出現(xiàn)增長(zhǎng)，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來(lái)首次上升。　　美國(guó)加州的市場(chǎng)研究公司iSuppli周二的調(diào)查報(bào)告顯示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。　　爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

　　日?qǐng)A兌美元匯率強(qiáng)勢(shì)升值，創(chuàng)近15年來(lái)新高;臺(tái)灣存儲(chǔ)器業(yè)者表示，日?qǐng)A走勢(shì)對(duì)日系廠商營(yíng)運(yùn)勢(shì)必產(chǎn)生壓力，未來(lái)將更仰賴臺(tái)灣合作伙伴。　　日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場(chǎng)占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM)市場(chǎng)占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。　　東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)市場(chǎng)占有率達(dá)33.1%，僅次于韓國(guó)三星，居全球第2大廠地。　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日?qǐng)A急遽升值，對(duì)日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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九月份內(nèi)存芯片協(xié)議價(jià)與零售價(jià)將持續(xù)走低

　　據(jù)臺(tái)系內(nèi)存業(yè)者透露，由于PC產(chǎn)品市場(chǎng)需求較為弱勢(shì)，因此今年9月份內(nèi)存產(chǎn)品的協(xié)議價(jià)將繼續(xù)走低，消息來(lái)源并希望年底企業(yè)用戶更換新電腦產(chǎn)生的市場(chǎng)需求能夠幫助內(nèi)存產(chǎn)品穩(wěn)定價(jià)格。值得注意的是，在臺(tái)系內(nèi)存廠商發(fā)出這種悲觀的論斷之前，三星公司電子芯片部門的首腦人物曾稱目前PC銷量的持續(xù)走低將導(dǎo)致明年第一季度內(nèi)存市場(chǎng)出現(xiàn)供過(guò)于求的局面。　　據(jù)消息來(lái)源分析，在內(nèi)存價(jià)格下跌的大潮中，PC廠商很有可能會(huì)考慮增加自己部分產(chǎn)品的內(nèi)存容量到4GB水平，不過(guò)內(nèi)存方面的升級(jí)將僅限于部分高端型號(hào)。另外，歐洲和美國(guó)市場(chǎng)對(duì)PC機(jī)型
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惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內(nèi)存

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，惠普周二宣布與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場(chǎng)。　　據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì)采用由惠普實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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三星量產(chǎn)全球首款30nm級(jí)工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒

　　三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級(jí)工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計(jì)算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號(hào)稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級(jí)工藝的DDR3也要快1.55倍。　　該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級(jí)工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級(jí)工藝4GB DDR3內(nèi)存條
關(guān)鍵字：三星電子內(nèi)存 30nm

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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡(jiǎn)介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]