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內(nèi)存 文章 最新資訊

PC內(nèi)存一年價(jià)格翻一倍多,二季度還要再漲10-20%

  •   2017年JS靠著挖礦顯卡價(jià)格大漲賺錢了,只不過這一波顯卡漲價(jià)雖然很瘋狂,但是漲幅并不是最高的,內(nèi)存價(jià)格上漲的才是驚人,8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上,去年這時(shí)候價(jià)格才199元呢,當(dāng)時(shí)還覺得貴呢,現(xiàn)在價(jià)格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價(jià)的趨勢(shì)還沒有得到抑制,Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了,可Q2季度還會(huì)繼續(xù)上漲10-20%,因?yàn)槿?、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加,市場供需還是不平衡。     這一年多了沒升級(jí)什么PC硬件了,雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
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東芝內(nèi)存出售,傳延后一周決定優(yōu)先對(duì)

  •   東芝出售旗下「東芝內(nèi)存」選定出售對(duì)象出現(xiàn)延遲,東芝原預(yù)定 15 日決定優(yōu)先交涉對(duì)象,但經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省主導(dǎo)的「日美聯(lián)合」陣營的調(diào)整出現(xiàn)延遲,東芝將推遲一周左右才做出決定。   報(bào)導(dǎo)引述相關(guān)人士指出,官民基金產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)、日本政策投資銀行和美國投資基金 KKR 等組成的日美聯(lián)合陣營,在籌資上遭遇困難,收購金額未達(dá)到東芝要求的超過 2 兆日?qǐng)A。 因而,正檢討納入美國創(chuàng)投資金等其他投資基金方案,而協(xié)商需要時(shí)間。   報(bào)導(dǎo)說,亟思快速推動(dòng)出售手續(xù)的東芝原本預(yù)定 15 日決定優(yōu)先交涉對(duì)象,參與二次競標(biāo)的 4 個(gè)陣
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教你巧妙檢查硬盤與內(nèi)存

  • 這種方法主要是對(duì)每一種病毒含有的特定字符串進(jìn)行掃描,如果在被檢測(cè)對(duì)象內(nèi)部發(fā)現(xiàn)了某一種特定字節(jié)串,就表明發(fā)現(xiàn)了該字節(jié)串所代表的病毒。國外稱這種按搜索法工作的病毒掃描軟件為“Scanner”。
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DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別

  • DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存,其實(shí)只是規(guī)格上的提高,并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好,而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量,4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候,64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。
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幾種常見虛擬機(jī)應(yīng)用圖解

【E問E答】單片機(jī)如何執(zhí)行代碼命令,單片MCU內(nèi)存如何分配?

  •   單片機(jī)執(zhí)行指令過程詳解  單片機(jī)執(zhí)行程序的過程,實(shí)際上就是執(zhí)行我們所編制程序的過程。即逐條指令的過程。計(jì)算機(jī)每執(zhí)行一條指令都可分為三個(gè)階段進(jìn)行。即取指令-----分析指令-----執(zhí)行指令?! ∪≈噶畹娜蝿?wù)是:根據(jù)程序計(jì)數(shù)器PC中的值從程序存儲(chǔ)器讀出現(xiàn)行指令,送到指令寄存器。  分析指令階段的任務(wù)是:將指令寄存器中的指令操作碼取出后進(jìn)行譯碼,分析其指令性質(zhì)。如指令要求操作數(shù),則尋找操作數(shù)地址?! ∮?jì)算機(jī)執(zhí)行程序的過程實(shí)際上就是逐條指令地重復(fù)上述操作過程,直至遇到停機(jī)指令可循環(huán)等待指令?! ∫话阌?jì)算機(jī)進(jìn)
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東芝內(nèi)存出售擬舉辦第3次競標(biāo)二選一

  •   正在進(jìn)行經(jīng)營重建的日本東芝公司有意出售旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)子公司「東芝內(nèi)存」,目前考慮快則下個(gè)月實(shí)施第3次競標(biāo)作業(yè)。   東芝打算出售「東芝內(nèi)存」的作業(yè),19日是第2次競標(biāo)作業(yè)截止日,預(yù)計(jì)篩選出2個(gè)陣營,然后快則下個(gè)月實(shí)施第3次競標(biāo)作業(yè)。 一般認(rèn)為,此舉目的在于抬高東芝內(nèi)存的出售價(jià)碼。   東芝于3月底實(shí)施的第1次競標(biāo)作業(yè),通過競標(biāo)的有臺(tái)灣的鴻海、美國投資基金KKR與日本官民基金日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)合作、南韓SK海力士、美國博通以及西部數(shù)據(jù)。
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Gartner:2016半導(dǎo)體營收達(dá)3435億美元,受惠于內(nèi)存價(jià)格大漲

  •   《ZDnet》報(bào)導(dǎo),周二 (16 日) 調(diào)研機(jī)構(gòu)顧能 (Gartner) 發(fā)布了 2016 年全球半導(dǎo)體市況報(bào)告,英特爾 (INTC-US) 2016 年?duì)I收為 540.9 億美元,市占率達(dá) 15.7%,依然是全球最大的半導(dǎo)體龍頭,而三星電子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 則緊追英特爾之后。   據(jù)顧能 2016 半導(dǎo)體市況報(bào)告顯示,三星電子 2016 年?duì)I收為 401 億美元,市占率為 11.7% 居全球第二,而高通營收則為 154 億美元,市占率為 4.
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內(nèi)存價(jià)格高檔盤旋 英特爾王座岌岌可危

  • 由于內(nèi)存價(jià)格短期內(nèi)仍看不到大幅下滑的跡象,在未來幾季,三星電子很可能將首度超越英特爾,成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收最高的公司。
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一文看懂3D Xpoint! 它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)逐漸出現(xiàn),傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走,直到 2025 年,這個(gè)技術(shù)都是安然無憂的。 因此,NAND Flash 暫時(shí)不會(huì)被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
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東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競標(biāo)的最終勝利者不會(huì)是出價(jià)最高者?

  •   東芝(Toshiba)令人垂涎的內(nèi)存業(yè)務(wù)第二輪競價(jià)即將在幾周內(nèi)展開,但其程序的不透明,暴露了日本政治人物、官僚體系、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)人以及金融圈之間的利益分歧;許多觀察家將這種持續(xù)加深的分歧,歸咎于正折磨著日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不滿情緒。而且,該競標(biāo)程序已經(jīng)成為一個(gè)高度政治化的焦點(diǎn),這也是為什么日本媒體對(duì)該事件如此關(guān)注。   不過在指出東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競標(biāo)程序的漏洞之前,我們得看清楚在這場賭局上有哪些玩家:在第一輪競標(biāo)時(shí),東芝將出價(jià)者范圍縮小為僅四家廠商──WD (Western Digital)、Broadcom、
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

  •   內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性   根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過
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2018年內(nèi)存短缺問題將持續(xù)改善

  •   近三年來,我一直預(yù)測(cè)2017年會(huì)是閃存(flash)/固態(tài)硬盤(SSD)豐收的一年。然而,由于3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢,加上智能手機(jī)到服務(wù)器等市場的需求旺盛,如今的flash顆粒供應(yīng)極其吃緊。不僅價(jià)格持續(xù)上漲20%或甚至更多,而像個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等領(lǐng)域的內(nèi)存供應(yīng)不足更對(duì)其銷售數(shù)字帶來沖擊。   這讓IT人員得多花一點(diǎn)時(shí)間才能接受這一點(diǎn)。畢竟對(duì)于計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存而言,SSD會(huì)是更快速的解決方案。但我們討論的是更巨大的因素,性能更高千倍以上,因此,你可能會(huì)想知道為什么這個(gè)市場花了這么久的時(shí)間才終于起飛。我
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新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  •   內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。   根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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從初始期到成熟期 臺(tái)灣內(nèi)存行業(yè)發(fā)展過程解讀

  • 經(jīng)過二十多年的發(fā)展,臺(tái)灣內(nèi)存總產(chǎn)量已經(jīng)來到了世界第三的水平。2008年的危機(jī)極大地威脅到了這一產(chǎn)業(yè)的發(fā)展勢(shì)頭,因而政府開始向產(chǎn)業(yè)注入資金進(jìn)行救市。但這一計(jì)劃成效如何?
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】   在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來說,有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器,主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器(簡稱內(nèi)存,港臺(tái)稱之為記憶體)。   內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細(xì) ]
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