明年資本支出 臺(tái)積將首超三星、英特爾

• 　　先進(jìn)制程成為半導(dǎo)體巨擘兵家必爭(zhēng)之地，臺(tái)積電日前于法說(shuō)會(huì)上初透口風(fēng)，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準(zhǔn)備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)則估，臺(tái)積電明年資本支出可望達(dá)到115億美元，超越英特爾、三星。 　　IEK分析，今年全球半導(dǎo)體廠商的資本支出估達(dá)643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺(tái)積三強(qiáng)均超過(guò)百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴(kuò)大產(chǎn)能之余，先進(jìn)制程的研發(fā)投資成本亦跟著水漲船高。舉例來(lái)說(shuō)，一條20奈米產(chǎn)線的投資金額就
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