三星(samsung) 文章最新資訊

價(jià)值200億美元臺積電4月份揭秘3nm工藝：與三星關(guān)鍵決戰(zhàn)開始

在上周的說法會(huì)上,臺積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元,其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm。這次說法會(huì)上臺積電沒有公布3nm工藝的情況,因?yàn)樗麄?月份會(huì)有專門的發(fā)布會(huì),會(huì)公開3nm工藝的詳情。臺積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線,對半導(dǎo)體行業(yè)來說很重要,因?yàn)槟壳澳軌蛏钊氲?nm節(jié)點(diǎn)的就剩下臺積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會(huì)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來說,三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%

以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場
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去年全球半導(dǎo)體銷售額三星退居第二英特爾重返榜首

據(jù)日媒報(bào)道，美國市場研究機(jī)構(gòu)Gartner周二發(fā)布了2019年全球半導(dǎo)體廠商銷售額排行榜，在2017至2018年連續(xù)排在榜首的韓國三星電子由于主力產(chǎn)品存儲(chǔ)芯片的行情惡化而退居第2。
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2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少?！　￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價(jià)格走勢，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年第1季度DRAM的
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南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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三星發(fā)布T7 Touch移動(dòng)SSD：支持指紋識別、讀寫1000+MB/s

一般來說，提升SSD通常只有兩件事：提高速度、增加存儲(chǔ)容量。顯然，略顯枯燥。
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三星Galaxy Tab S6 5G平板規(guī)格曝光，和4G版基本一致

據(jù)Emperor消息，目前三星Galaxy Tab S6平板電腦的5G版本配置曝光，可以看到和4G版本基本一致。
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三星表示已準(zhǔn)備好量產(chǎn)MicroLED屏幕：OLED取代者來了

在本屆CES大展上，三星表示已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)采用MicroLED面板的智能電視，并有望將2020打造成為MicroLED元年。
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三星：內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)恢復(fù)跡象售價(jià)上漲不可能避免

對于三星來說，本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時(shí)指出，公司的利潤可能會(huì)跌幅超50%以上，主要是內(nèi)存等芯片價(jià)格下滑所致，不過他們看起來并不擔(dān)心。星電子副董事長Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示，內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動(dòng)時(shí)間。這位三星電子副董事長在拉斯維加斯舉行的CES展會(huì)上對媒體表示：“有跡象表明市場正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測市場復(fù)蘇了多少，也很難預(yù)測哪些因素將會(huì)起作用?！睋?jù)悉，三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相
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三星將展示“虛擬人”項(xiàng)目成果能自主生成表情動(dòng)作

三星有望在周一的國際消費(fèi)電子展（CES）上宣布其未來的“虛擬人”項(xiàng)目。
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三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問世

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體工藝制造越來越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯
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存儲(chǔ)芯片2020年將強(qiáng)勁復(fù)蘇

半導(dǎo)體行業(yè)有明顯的周期性，2019年半導(dǎo)體市場處于低位，加上貿(mào)易戰(zhàn)的影響，存儲(chǔ)芯片降價(jià)也讓三星失去了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一的位置。不過，臺灣旺宏電子董事長預(yù)計(jì)2020年市場將強(qiáng)勁復(fù)蘇。他還指出，即便中國投入大量資本發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，也需要至少20年來培養(yǎng)人才和積累技術(shù)。
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李在镕：三星計(jì)劃利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片

據(jù)悉，三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)人李在镕（Lee Jae-yong）討論了三星利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計(jì)劃。
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上，會(huì)否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電分析師：對清庫存是重大利好

在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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