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?nand 文章 最新資訊

今年推兩款存儲芯片 美光現(xiàn)轉機

  • 　　《巴倫周刊》(Barron’s)報導指出，半導體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機應用程式市場和大數(shù)據(jù)分析領域，料將大幅提升美光利潤率。 　　兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進美光2016年營收與凈利，而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴大。 　　有看多美光者預測，股價可能于1年間上漲逾6成，達每股30美元。較保守的假設為，1年間上漲
  • 關鍵字： 美光  NAND  

紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭 人才招募選精英

  • 　　中國半導體研究機構芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導體產業(yè)會有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責半導體儲存業(yè)務。消息一出，果然在臺灣帶來震撼。外界也好奇，近來動作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導體行業(yè)到處“興風作浪”? 　　■紫光發(fā)展簡歷 　　依紫光集團官網(wǎng)簡介，紫光的前身是中國清華大學在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
  • 關鍵字： 紫光  NAND   

東芝財報風波長期恐將損及NAND事業(yè)

  • 　　東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產品競爭力。 　　目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產品，由于移動裝置需求持續(xù)成長，銷售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產品;但這項產品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領先，受企業(yè)財務狀況影響比其他半導體產品更大。 　　現(xiàn)在東芝碰上財務問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導體事業(yè)，對這個
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

FinFET/3D NAND前景亮　推升半導體設備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關的蝕刻機臺和磊晶技術。 　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。 　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
  • 關鍵字： FinFET  3D NAND  

美光2016 資本支出大增至53億美元，市場冷淡

  • 　　內存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產能，市場似乎對內存前景不具信心，當日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 　　美光財務長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
  • 關鍵字： 美光  NAND   

不同產品策略影響NAND供應商營收表現(xiàn)

  • 　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
  • 關鍵字： 英特爾  NAND   

不同產品策略影響NAND供應商營收表現(xiàn)

  • 　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
  • 關鍵字： NAND  英特爾  

NAND閃存走向發(fā)展死胡同？

  • NAND閃存技術進入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

全球新式存儲器大戰(zhàn)　臺控制芯片廠不缺席

  • 　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應商，2016年搶先導入SSD。不過，相關消息仍待慧榮正式對外宣布。 　　存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
  • 關鍵字： DRAM  NAND   

海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產階段，預計9月開始對客戶出貨。 　　快閃記憶體量產在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產品明年才會投產。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
  • 關鍵字： 海力士  NAND  

全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構優(yōu)勢

  • 　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構問世，SSD在價格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數(shù)位看板、POS機等商用市場。 　　SanDisk：SSD全面進占資料中心 　　當云端應用已經(jīng)成為重要產業(yè)趨勢，相關的基礎設備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
  • 關鍵字： SSD  NAND  

走進三星半導體芯片生產線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)

  • 　　陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內魚兒游來游去。這里生產世界最先進技術的產品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 　　對三星半導體來說，引導社會未來發(fā)展的不僅僅是生產全球最先進的產品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 　　形成半導體全產業(yè)鏈 　　三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產業(yè)基地。 　　西安是三星電子海外芯片生產線投資規(guī)模最大的一個
  • 關鍵字： 三星  NAND   

傳三星出手 搶iPhone6S NAND Flash訂單

  • 三星發(fā)展半導體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
  • 關鍵字： 三星  NAND  

三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
  • 關鍵字： 三星   V-NAND  

平面架構1x納米NAND揭密！

  • 　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。 　　針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
  • 關鍵字： NAND  SK海力士  
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