?三星文章最新資訊

三星 Galaxy A34 渲染圖曝光：預(yù)計(jì)搭載 Exynos 1380 芯片

IT 之家 11 月 24 日消息，OnLeaks 曝光了三星 Galaxy A34 渲染圖，這款手機(jī)似乎使用了與 Galaxy A54 類(lèi)似的設(shè)計(jì)語(yǔ)言，也讓人聯(lián)想到 Galaxy S22 的框架，包括扁平的背板和顯示屏，以及后置三攝像頭，每個(gè)都有圓形環(huán)元素。通過(guò)這種設(shè)計(jì)語(yǔ)言，三星正在為 2023 年中檔手機(jī)增加一點(diǎn) 2022 款旗艦的味道。盡管如此，三星 Galaxy A34 仍然是低預(yù)算手機(jī)，特別是正面搭載了 Infinity-U 顯示屏，以及較厚的下巴邊框。
關(guān)鍵字：三星 Galaxy A34 Exynos 1380

三星 Galaxy M04 現(xiàn)身印度官網(wǎng)，應(yīng)為 Galaxy A04e 更名版

IT之家 11 月 15 日消息，據(jù) MySmartPrice 報(bào)道，三星預(yù)計(jì)將在印度推出新款入門(mén)級(jí)智能手機(jī)。盡管沒(méi)有關(guān)于新機(jī)發(fā)布的具體日期，但 Galaxy M04 支持頁(yè)面目前已上線三星印度官網(wǎng)。三星官網(wǎng)支持頁(yè)面確認(rèn) Galaxy M04 手機(jī)型號(hào)為 SM-M045F。用戶(hù)手冊(cè)進(jìn)一步證實(shí)，Galaxy M04 將作為 Galaxy A04e 的更名版本在印度推出，后者型號(hào)為 SM-A042F?！?圖源：MySmartPriceIT之家了解到，Galaxy A04e 于今年早些時(shí)候在
關(guān)鍵字：印度智能手機(jī) 三星

高通/英偉達(dá)/百度上榜？三星3納米芯片客戶(hù)曝光

據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，三星電子將運(yùn)用業(yè)界最先進(jìn)的3納米制程技術(shù)為英偉達(dá)、高通、IBM、百度等客戶(hù)代工芯片，預(yù)計(jì)最早將從2024年開(kāi)始產(chǎn)品供應(yīng)。消息稱(chēng)，三星將以3納米制程為英偉達(dá)代工繪圖處理器(GPU)、為IBM代工服務(wù)器用中央處理器(CPU)、為高通代工智能手機(jī)應(yīng)用處理器，并為百度代工云端資料中心使用的人工智能(AI)芯片。這些客戶(hù)考慮到三星擁有3納米技術(shù)，再加上分散供應(yīng)源的需要，因此決定委托三星代工。報(bào)道指出，這些客戶(hù)公司綜合考慮了三星3納米技術(shù)能力、從過(guò)去開(kāi)始的戰(zhàn)略合作關(guān)系、確保多個(gè)供應(yīng)鏈的必要性等因素
關(guān)鍵字：高通英偉達(dá) 百度上榜三星 3納米

韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣(mài)：SK海力士、三星虧到家

作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類(lèi)產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
關(guān)鍵字：三星 SK海力士 DRAM NAND

臺(tái)積電和三星的“3nm之爭(zhēng)”：誰(shuí)率先降低代工價(jià)格，誰(shuí)就會(huì)是贏家

2022年已經(jīng)接近尾聲，3nm制程的競(jìng)爭(zhēng)似乎也進(jìn)入到了白熱化階段，臺(tái)積電和三星誰(shuí)先真正實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)，一直都是產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)。雖然需要用到3nm芯片的廠商少之又少，但這并不妨礙它是巨頭爭(zhēng)相追逐的對(duì)象，畢竟對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，搶先掌握先進(jìn)工藝是占領(lǐng)市場(chǎng)最關(guān)鍵的部分。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電三星 3nm 代工成本

三星押注半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù) 今年投資近220億美元

當(dāng)前全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況并不樂(lè)觀，在消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑的影響下，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格與需求雙雙下滑，三星、SK海力士等存儲(chǔ)芯片廠商均受到了影響。但在不利的市場(chǎng)狀況下，并未影響三星的投資決心，他們?cè)诎雽?dǎo)體工廠方面仍在大力投資。外媒最新的報(bào)道顯示，三星今年前三季度在工廠方面已完成329632億韓元的投資，其中半導(dǎo)體工廠方面的投資高達(dá)291021億韓元，折合約219.55億美元，占到了全部工廠投資的88%。不過(guò)從數(shù)據(jù)來(lái)看，雖然三星電子在半導(dǎo)體工廠方面仍在大力投資，但他們今年前三季度的投資，其實(shí)不及去年同期。去年前三
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體代工投資

三星 SDI 加速推進(jìn)與通用汽車(chē)、沃爾沃設(shè)立合資電池廠

IT之家11月15日消息，三星 SDI 正在推動(dòng)與兩家全球汽車(chē)制造商分別在美國(guó)建立合資電動(dòng)汽車(chē)電池廠。這兩個(gè)合資項(xiàng)目的總成本估計(jì)為 80 億美元，其中三星 SDI 預(yù)計(jì)將投資 40 億美元。有分析認(rèn)為，三星集團(tuán)的這一大規(guī)模投資計(jì)劃表明，三星集團(tuán)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電池事業(yè)的保守態(tài)度正在發(fā)生變化。他們計(jì)劃建設(shè)一家年產(chǎn)能 50GWh 的工廠，從而滿(mǎn)足為 67 萬(wàn)輛續(xù)航 500 公里的電動(dòng)汽車(chē)提供動(dòng)力電池的需求。為此，三星 SDI 和通用汽車(chē)將各自投資約 20 億美元。三星 SDI 的鋰電池IT之家了解到，通用汽車(chē)此前已
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車(chē)電池三星

消息稱(chēng)三星擬明年砍單3000萬(wàn)部手機(jī) 部件供應(yīng)商或受巨大沖擊

據(jù)報(bào)道，隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)下滑，全球第一大智能手機(jī)廠商三星計(jì)劃大幅調(diào)降明年智能手機(jī)出貨量的預(yù)期，內(nèi)部規(guī)劃其明年智能手機(jī)生產(chǎn)目標(biāo)將落在2.7億部，雖然與今年調(diào)整后的目標(biāo)2.6億略有增長(zhǎng)，但是相比之前的預(yù)期的2.9億部則減少了2000萬(wàn)部，與今年的原本出貨目標(biāo)相比則減少了3000萬(wàn)部。其中，高端S系列旗艦機(jī)型產(chǎn)量維持與今年相當(dāng)，砍單機(jī)型主要是原本為銷(xiāo)售主力的A系列與M系列中低端機(jī)型，聯(lián)發(fā)科、大立光、雙鴻、晶技等供應(yīng)鏈恐承壓。根據(jù)披露財(cái)報(bào)，三星第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為10.85萬(wàn)億韓元（約合人民幣550億元），同
關(guān)鍵字：三星手機(jī)

LG顯示已開(kāi)始為iPhone 14 Pro Max供應(yīng)面板打破三星壟斷地位

經(jīng)歷生產(chǎn)計(jì)劃推遲的LG顯示經(jīng)過(guò)技術(shù)補(bǔ)充程序后，已經(jīng)獲得了蘋(píng)果的最終批準(zhǔn)，在上月底就已開(kāi)始供應(yīng)iPhone 14 Pro Max所需的LTPO OLED面板，由三星顯示壟斷的iPhone Pro系列面板供應(yīng)有望重新變?yōu)槎喾焦?yīng)。
關(guān)鍵字： LG iPhone 14 面板三星

報(bào)告稱(chēng)三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng) 8 年來(lái)新低

IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報(bào)告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來(lái)的最低點(diǎn)。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報(bào)告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷(xiāo)售額為 179.73 億美元（當(dāng)前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷(xiāo)售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當(dāng)前約 533.66 億元人民幣
關(guān)鍵字：三星 DRAM

三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 存儲(chǔ)密度

傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒(méi)有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
關(guān)鍵字：三星閃存

三星4nm芯片仍未達(dá)標(biāo)？Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2

據(jù)外媒報(bào)道，三星Galaxy S23系列手機(jī)將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機(jī)。但在今年推出Galaxy S22系列手機(jī)時(shí)，卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會(huì)跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標(biāo)配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財(cái)務(wù)官的一份文件中，相關(guān)人士表示Galaxy S
關(guān)鍵字：三星 4nm 芯片 Galaxy S23 驍龍

三星和 SK 海力士瞄準(zhǔn)汽車(chē)半導(dǎo)體

IT之家 11 月 7 日消息，據(jù) BusinessKorea，隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車(chē)用高性能半導(dǎo)體的需求的迅速增加，三星電子和 SK 海力士已逐漸將目光投向了汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域。IT之家了解到，這兩家公司雖然在世界存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)上占據(jù)了第一和第二的位置，但在汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)上并沒(méi)有太大的影響力。Strategy Analytics 數(shù)據(jù)顯示，以 2019 年的銷(xiāo)售額為標(biāo)準(zhǔn)，韓國(guó)在全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)的占有率僅為 2.3%。在油車(chē)領(lǐng)域，車(chē)用半導(dǎo)體價(jià)格普遍較低，因此收益性較低，而且油車(chē)更換周期也普遍更長(zhǎng)，可
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子三星海力士

三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱(chēng)之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱(chēng)，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
關(guān)鍵字： V-NAND 閃存三星