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日本震后 DRAM現(xiàn)貨價轉(zhuǎn)趨觀望
- 日本地震后2天期間,曾出現(xiàn)上升走勢的DRAM現(xiàn)貨價格已轉(zhuǎn)趨觀望,由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴重,依照恢復(fù)的情況,IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會不同,因而市場上再度回到觀望的氣氛。 日前南韓各大廠紛紛預(yù)測DRAM價格將于2011年第1季觸底,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商,可能會提高每個月進行2次調(diào)整的部分合約價格。 在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價格又再度來到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出,最近DRAM主要產(chǎn)品DD
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三星電子將把今年系統(tǒng)芯片的銷售額提高43%
- 三星電子周三表示,預(yù)計今年系統(tǒng)芯片的銷售額將增長43%,受益于智慧型手機和平板電腦越加流行。 三星電子發(fā)言人稱,三星電子旗下系統(tǒng)LSI部門總裁NS Woo在三星集團高層的每周例會上作出上述表示。 "NS Woo稱,三星電子預(yù)計今年將把系統(tǒng)LSI銷售額從去年的7萬億(兆)韓圜提高至大約10萬億韓圜(88.9億美元)。"這位發(fā)言人表示。 三星電子押注于系統(tǒng)芯片業(yè)務(wù),以此幫助抵消記憶體芯片需求放緩的影響。 三星電子是全球最大記憶體芯片生產(chǎn)企業(yè),但在非記憶體芯片處理
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三星電子與IBM宣布交叉授權(quán)
- 三星電子(Samsung Electronics)與藍色巨人IBM于美國時間8日聯(lián)合宣布,雙方已達成一項專利交叉授權(quán)協(xié)議,惟協(xié)議具體條款并未披露。 在過去數(shù)十年來,IBM與三星在包括半導(dǎo)體、通訊、移動通信、軟件和技術(shù)服務(wù)等多項領(lǐng)域,建立專利合作關(guān)系。新簽署的專利交叉授權(quán)協(xié)議將允許雙方自由使用合作伙伴的專利發(fā)明,藉此使2公司與先進科技以及市場需求同步化。 在聲明中,三星電子與IBM表示雙方在專利方面的合作,將進一步強化旗下產(chǎn)品及服務(wù)提供,同時也能繼續(xù)維持2家公司在市場上的競爭力。 三星
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三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長率達58%
- 2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應(yīng)用端,傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺,整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%,為191.7億美元,其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王,美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix),但差距相當少,雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再,取而代之的
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預(yù)計今年半導(dǎo)體記憶芯片出口下跌10%
- 1月31日消息,據(jù)韓國媒體報道,2011年韓國的半導(dǎo)體儲存器(memory semiconductors,以下簡稱“記憶芯片”)出口有可能下跌約10%。 韓國知識經(jīng)濟部長官崔重卿、三星電子社長權(quán)五賢、海力士半導(dǎo)體社長權(quán)五哲等半導(dǎo)體業(yè)界巨頭31日在首爾舉行有關(guān)發(fā)展系統(tǒng)半導(dǎo)體方案的說明會。在該會上,知識經(jīng)濟部預(yù)測稱,韓國今年的半導(dǎo)體出口在整體上會同比增加3.5%,達到525億美元。其中,記憶芯片出口受價格下跌的影響將會縮減9.3%,止步于258億美元。
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