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SOCAMM 在 HBM 之后點燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競爭
- 據(jù)稱,英偉達今年計劃采購高達 80 萬個 SOCAMM 單位,三大內(nèi)存巨頭之間一個新的戰(zhàn)場正在形成。美國美光似乎正在領(lǐng)先,據(jù)報道,美光已開始為英偉達生產(chǎn) SOCAMM 模塊。與此同時,三星和 SK 海力士正積極加入競爭。以下是他們最新的進展。什么是 SOCAMM?如 Hansbiz 所述,SOCAMM(小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊)是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊,使用低功耗 DRAM(LPDDR),并針對現(xiàn)有 HBM 無法完全支持的負載。韓國 Herald 解釋說,SOCAMM 垂直堆
- 關(guān)鍵字: 英偉達 存儲 三星 海力士 SOCAMM
新AI內(nèi)存:英偉達押注,比肩HBM
- 在算力需求指數(shù)級增長的今天,存儲技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動容器"到"主動參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM 的誕生,標志著內(nèi)存模塊首次實現(xiàn)了對計算需求的動態(tài)響應(yīng)能力。其同步架構(gòu)通過統(tǒng)一時鐘信號實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)木珳示幣?,將帶寬提升至傳統(tǒng) DDR5 的 2.5 倍,而適應(yīng)性調(diào)節(jié)機制則讓模塊在低負載時自動進入節(jié)能模式,功耗僅為同類產(chǎn)品的三分之一。這種"智能節(jié)流"特性,使得 SOCAMM 在 AI 訓(xùn)練場景中能根據(jù)模型復(fù)雜度實時調(diào)整資源分配,避免了傳統(tǒng)內(nèi)
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Nvidia 推遲了顛覆性的新 SOCAMM 內(nèi)存技術(shù)
- 據(jù)稱,可靠性和供應(yīng)鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發(fā)下一代零件。據(jù)稱,Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術(shù)的推出,并推出了即將推出的 Blackwell 企業(yè)級 GPU。ZDNet 報道稱,SOCAMM 現(xiàn)在計劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應(yīng)該與 GB300 一起首次亮相,GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產(chǎn)品,針對工作站而不是服務(wù)器。GB300
- 關(guān)鍵字: Nvidia SOCAMM 內(nèi)存
英偉達被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存:694 個 I/O 端口突破 AI 計算瓶頸
- 2 月 18 日消息,科技媒體 WccFTech 昨日(2 月 17 日)發(fā)布博文,報道稱英偉達正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊,主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機,可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧,而且功耗更低,性能更強,有望成為內(nèi)存市場的新增長點。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進行 SOCAMM 原型機的性能測試,預(yù)計最快將于今年年底實現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹,SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口,遠超 PC DRAM 和
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