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MOS晶體管表現(xiàn)出理想模型所沒有的各種二階效應。為了設計在現(xiàn)實世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結構和工作區(qū)域。我們討論的模型描繪了一個理想的MOSFET，......
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款可實現(xiàn)高性能打印并節(jié)能約30%的、由１節(jié)鋰離子電池（3.6V）驅動的新結構熱敏打印頭“KR2002-Q06N5AA”。 近年來，隨著物流行業(yè)的發(fā)展而普......
1.單向開關二極管，連接AB兩端的管子。像一個開關，閉合導通，斷開分離。二極管中的PN結充當開關的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時，開關打開，管子導通。值得注意的是，二極管導通AB兩端的控制條件藏在A中，而三極管卻是藏......
三極管用作開關時的常見電阻配置，如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個位置，而不是那個位置。在其位，謀其職。電阻R11）產(chǎn)生基級電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于，其輸出電流IC和IB具有關系IC=β*IB......
12日，松下集團旗下從事電子零部件業(yè)務的松下工業(yè)公司負責人在記者會上鞠躬道歉，承認在向第三方機構申請產(chǎn)品品質認證的過程中，存在篡改測試數(shù)據(jù)等違規(guī)行為。松下工業(yè)稱，當時為了獲得相關認證，對用于汽車、家電等產(chǎn)品的電子零部件材......
今天開始討論運算放大器引入負反饋后的電路應用，先從最簡單的跟隨器說起，也就是直接將運放輸出端連接到運放負輸入端，如下圖：根據(jù)運放的特性，有負反饋的情況下，其正輸入端和負輸入端壓差為0，也就是Vin- = Vin+ ，而 ......
MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同......
MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電......
貼片壓敏電阻和TVS二極管可作為過電壓保護部件使用。這些產(chǎn)品的結構和制造方法完全不同，但作為靜電保護器件卻具有相似的性質。由此，雖然在電路上都可以使用，但也存在不能使用貼片壓敏電阻的情況。的確，由于其歷史背景，產(chǎn)品目錄和......
今天咱們來聊聊為啥mos管開關得快點兒，還有怎么才能快點開關。mos管驅動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅動芯片驅動，我們就以這個驅動設計為主。說起mos管關斷，通常電壓會比開通時高，所以關斷的損失也會比開通......
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