高速存儲器有助于實現小型、高速和高性能的產品開發(fā)解決方案 


瑞薩科技公司近日開始接受封裝在SiP（系統(tǒng)級封裝）內、集成了DDR SDRAM（雙數據速率同步DRAM）高速存儲器芯片的產品訂貨。該產品是在一個單封裝中整合了瑞薩科技的高性能微處理器和邏輯LSI芯片的多存儲器器件。

<產品背景>
隨著包括圖形設備、車載信息系統(tǒng)和數字消費產品等各個領域的快速發(fā)展和功能日益強大，減小芯片尺寸成為了一個迫切的要求。對這種需求的一種反應就是迅速增加SiP產品的應用，因為它可以將若干微處理器、ASIC和存儲器集成在單個的封裝中。雖然，迄今為止SDRAM已經成為封裝在一個SiP中的最普通類型的工作存儲器，但是現在更高速度和性能的需求推動著人們使用更快的DDR SDRAM的需求。不過，使用DDR SDRAM的問題在于芯片對芯片的高速信號部分的互連設計比較復雜。

瑞薩科技一直在推動使用集成了微處理器和邏輯LSI的SiP作為“解決方案集成產品，Solution Integrated Product?”，到目前為止已向用戶提供了超過1億顆這樣的芯片解決方案。

現在，為了滿足上述迫切的市場需求，瑞薩科技利用該公司長期積累的技術知識將DDR SDRAM封裝在一個SiP中。這將有助于為使用DDR SDRAM的更快和更強大的小型設備提供開發(fā)解決方案。


<產品細節(jié)>
由于DDR SDRAM比SDRAM更快，包括高速信號在內的總線連接設計通常更加復雜和困難。在DDR SDRAM集成到SiP時也是這樣，不過，瑞薩科技已利用其在SiP基層方面的專有技術和技巧解決了這個問題。

新的DDR SDRAM SiP具有以下一些特性。

(1)    避免了用戶進行復雜的總線連接設計，可以節(jié)省產品開發(fā)成本和時間
CPU和DDR SDRAM之間的總線連接在SiP內執(zhí)行。這樣就避免了用戶進行復雜的總線連接設計，從而減少了產品的開發(fā)成本，并可縮短開發(fā)時間，以節(jié)省設計資源。


(2)    利用SiP減少了無源元件數量，實現了更低的產品功耗
DDR SDRAM的連接通常需要使用用來抑制噪聲的電容器等許多外部無源元件。另一方面，采用SiP實現的總線連接完全是在SiP的內部，避免了對大多數外部無源元件的需要，因而可以降低產品成本。此外，無源元件消耗電流方面的減少可以實現更低的產品功耗。

(3)    穩(wěn)定的高速運行實現了EMI*噪聲的全面降低
將多個芯片容納在單個封裝中，可以顯著地縮短芯片對芯片的連線。這將降低EMI噪聲的影響，并且可以實現穩(wěn)定的高速運行。

瑞薩科技將繼續(xù)開發(fā)可以滿足用戶需求的SiP產品，為用戶提供相應的解決方案。