1 引言

　　縫隙陣列天線由于它優(yōu)良的電性能，被廣泛應(yīng)用在導(dǎo)引頭天線上。通常的導(dǎo)引頭天線的天線陣面，陣元都是均勻分布的。但是隨著導(dǎo)引頭技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的導(dǎo)引頭采用了復(fù)合導(dǎo)引頭技術(shù)，例如雙微波頭復(fù)合導(dǎo)引頭、微波與毫米波復(fù)合導(dǎo)引頭、射頻與光電復(fù)合導(dǎo)引頭等等，需要在同個(gè)導(dǎo)引頭口徑上放置多個(gè)探測(cè)器。特別對(duì)于光學(xué)導(dǎo)引頭，其探測(cè)器需要放置在復(fù)合導(dǎo)引頭口徑中央，這就出現(xiàn)對(duì)中心開(kāi)孔的單脈沖導(dǎo)引頭天線陣面的需求。而對(duì)這種中心開(kāi)孔的非均勻天線陣面的設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)的天線方向圖綜合方法已經(jīng)不再適用。為此本文對(duì)這種新穎的中心開(kāi)孔的單脈沖縫隙陣列天線進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的設(shè)計(jì)和分析，所采用的單脈沖縫隙陣列天線選擇毫米波段能夠使天線得到較高的增益。

　　2 天線的特點(diǎn)和設(shè)計(jì)方法

　　2.1 非均勻天線陣面的方向圖綜合

　　縫隙陣列天線中心開(kāi)孔后，帶來(lái)的問(wèn)題是天線口面的激勵(lì)分布發(fā)生了改變。對(duì)于一個(gè)激勵(lì)分布均勻的天線口面，其天線陣因子的副瓣為-13dB。如果想要得到低副瓣，可以通過(guò)天線陣的加權(quán)方法進(jìn)行方向圖綜合。均勻陣的加權(quán)方法有泰勒分布方法和切比雪夫方法等等，其特點(diǎn)都是口面中心激勵(lì)最大，朝邊緣的方向逐漸變小。但是當(dāng)天線面陣中心開(kāi)孔后，沒(méi)有了激勵(lì)最大部分，這時(shí)其天線面陣的天線副瓣就會(huì)迅速抬高。圖1是一個(gè)用泰勒分布方法加權(quán)副瓣為-26dB的316個(gè)陣元的均勻陣圓口面激勵(lì)分布，圖2是將其面陣中心去掉4*4陣元的非均勻陣的圓口面激勵(lì)分布。

　　圖1 均勻陣圓口面加權(quán)副瓣為-26dB的激勵(lì)分布

　　立體示意圖

　　圖2將均勻陣中心去掉4*4陣元后的激勵(lì)分布立體示意圖

　　上述天線在天線面陣中心陣元去掉前后主面方向圖副瓣發(fā)生的變化見(jiàn)圖3所示。

　　圖3 天線面陣中心開(kāi)孔前后的主面方向圖