市場研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開銷將持續(xù)增長。ABI Research預計，微波射頻半導體市場規(guī)模有望在2019年之前超過3億美元。點到點通信、衛(wèi)星通信、各種雷達和新型工業(yè)/醫(yī)療應用都將從這些大功率GaN器件的應用中獲益。

　　“當砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時候，GaN器件將促進增長。”ABI研究公司市場調(diào)研總監(jiān)Lance Wilson表示，“GaN器件能在更高電壓和功率下工作，而這是GaAs器件所難以實現(xiàn)的?！?/p>

　　除了上述領(lǐng)域的應用之外，微波GaN器件終于達到了能對行波管構(gòu)成嚴峻挑戰(zhàn)的性能水平，這將使歷史上使用后者的領(lǐng)域能夠進行新的設(shè)計。

　　“微波射頻功率半導體”是指輸出功率超過3瓦、工作頻率在4～18GHz的微波射頻功率半導體器件。該研究是ABI Research不斷跟蹤射頻功率工業(yè)領(lǐng)域主要變化的成果。

　　該研究涉及對六個主要領(lǐng)域(C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件)以及28個應用子領(lǐng)域的分析。