EM易感性

整流/泵、寄生元件、電流、功耗太大是EMS(電磁易感性)的四個最主要干擾效應。高頻電磁功率被部分吸納在IC之中，因此，可能會引起若干擾動。這些擾動包括將大的高頻電壓傳入高阻抗節(jié)點及把大的高頻電流傳入低阻抗節(jié)點。

將EMS效應減少到最小的主要辦法是把電路設計勻稱，因而避免可能出現(xiàn)整流現(xiàn)象。采用差分電路拓撲和版圖設計可以做到這一點。即使對于應用中需要小信號的傳感器，能夠處理較大共模信號的拓撲可能有助于保持系統(tǒng)在寬范圍電磁信號內(nèi)保持線性。通過濾波可以限制進入敏感器件的頻率范圍，這是另外一種常用的技術，特別是在可以采用片上濾波的時候。采取高共模抑制比(CMRR)和電源抑制比設計(PSRR)也將使電路免受整流干擾，并保持內(nèi)部節(jié)點阻抗為低且所有敏感節(jié)點都在片上。最后，為了避免或控制寄生元件和電流，采用保護器件將大于所要求的EMS抑制電平的部分鉗位掉是很重要的。該技術有助于避免整流干擾并維持保護電平與信號對稱。把襯底電流控制在最小并把這些電流聚集在受控點中也是關鍵。

AMI公司提供的最新器件

許多設計工程師正在尋求混合信號半導體技術來為當今的汽車應用提供SoC方案，最新的高壓混合信號技術特別適合于需要較高電壓輸出的設計，例如驅(qū)動電機或激勵繼電器，以便將模擬信號調(diào)理功能與復雜的數(shù)字處理結(jié)合起來。

至于高壓和混合信號ASIC技術，AMI公司的I2T和I3T系列就是優(yōu)秀的例子。該設計處理的電壓高達80V，基于0.35μm CMOS技術的I3T80在單芯片內(nèi)集成了復雜的數(shù)字電路、嵌入式處理器、存儲器、外圍設備、高壓功能和不同的接口。

AMIS采用混合信號技術和許多上述優(yōu)秀的EMC設計方法開發(fā)了針對汽車應用的一系列ASSP，包括AMIS-41682標準速度、AMIS-42665和AMIS-30660高速CAN收發(fā)器。對于要求CAN通信速率最高達1Mbps的12V和24V汽車及工業(yè)應用，這些器件為CAN控制器和物理總線之間提供了接口并簡化設計和減少了元件數(shù)量。例如，AMIS-30660完全符合ISO 11898-2標準，并通過CAN控制器的發(fā)送和接收引腳向CAN總線提供差分信令能力；該芯片為設計工程師提供了3.3V或5V邏輯電平接口的選擇，確保兼容現(xiàn)有的應用及即將出現(xiàn)的低電壓設計需求。仔細匹配輸出信號，就可以省略最小化EME所需要的共模扼流圈，同時接收輸入的寬共模電壓范圍(±35V)還可確保高的EMS性能。

電磁兼容設計的重要性

隨著現(xiàn)代汽車中電子設備的增加，越來越要求進行良好的設計以確保符合電磁兼容標準的要求。與此同時，隨著集成度的提高，汽車設計工程師需要系統(tǒng)級芯片ASIC和ASSP方案來替換多個離散元件的方案。