Coss越大或在DS極額外的并聯(lián)更大的電容，關(guān)斷時(shí)MOSFET越接近理想的ZVS，關(guān)斷功率損耗越小，那么更多能量通過(guò)Coss轉(zhuǎn)移到開(kāi)通損耗中。為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，然后續(xù)流的同步MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期是0電壓的開(kāi)關(guān)ZVS，開(kāi)關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。

注意到圖1是基于連續(xù)電流模式下所得到的波形，對(duì)于非連續(xù)模式，由于開(kāi)通前的電流為0，所以，除了Coss放電產(chǎn)生的功耗外，沒(méi)有開(kāi)關(guān)的損耗，即非連續(xù)模式下開(kāi)通損耗為0。但在實(shí)際的檢測(cè)中，非連續(xù)模式下仍然可以看到VGS有米勒平臺(tái)，這主要是由于Coss的放電電流產(chǎn)生的。Coss放電快，持續(xù)的時(shí)間短，這樣電流迅速降低，由于VGS和ID的受轉(zhuǎn)移特性的約束，所以當(dāng)電流突然降低時(shí)，VGS也會(huì)降低，VGS波形前沿的米勒平臺(tái)處產(chǎn)生一個(gè)下降的凹坑，并伴隨著振蕩。