RF功率器件的設計及應用
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圖16是針對TD-SCDMA應用的RF示范電路的典型性能。該電路包括驅動MRF6S21100H分立晶體管的MW6IC2215N RF IC。MW6IC2215N是一款兩級HV6 LDMOS RF IC，而MRF6S21100H是一款HV6 LDMOS分立陶瓷晶體管。這些器件在1dB壓縮下分別具有15W和100W的額定輸出功率。盡管這些器件不是專門用于TD-SCDMA市場，但*估表明它們具有優(yōu)異的六載波TD-SCDMA性能。在+38dBm輸出功率下，線路增益為43dB，未經校正的鄰道功率為-51.4dBc，未經校正的相間信道功率為-52.3dBc。
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