熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > 半導體BJT

半導體BJT

作者: 時間:2011-07-12 來源:網(wǎng)絡 收藏
BJT的結構

BJT是雙極結型晶體管Bipolar Junction Transistor的簡寫,又稱為半導體三極管。它有三個電極,常見的BJT外形如圖1所示,圖2是一種BJT的實物圖片。

        共基直流電流放大系數(shù)為 。

        3.特征頻率fT:當考慮BJT的結電容影響時,BJT的電流放大系數(shù)b 隨工作頻率f 的升高而下降。當b下降為1時所對應的信號頻率為特征頻率fT。

        三、極限參數(shù)

        1.集電極最大允許電流ICM

        ICM是指BJT的參數(shù)變化不超過允許值時集電極允許的最大電流。

        2.集電極最大允許功率損耗PCM

        PCM表示集電結上允許損耗功率的最大值。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。

        PCM= iCvCE

        3.反向擊穿電壓

        ① V(BR)EBO

        V(BR)EBO是指集電極開路時發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。

        ② V(BR)CBO

        V(BR)CBO是指發(fā)射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓。

        ③ V(BR)CEO

        V(BR)CEO是指基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V(BR)CEO V(BR)CBO。

        各擊穿電壓大小之間有如下的關系:

        V(BR)CBO> V(BR)CES> V(BR)CER> V(BR)CEO



        評論


        相關推薦

        技術專區(qū)

        <sub id="wbpay"><rt id="wbpay"></rt></sub>
        <sub id="wbpay"><rt id="wbpay"><form id="wbpay"></form></rt></sub>
      1. <meter id="wbpay"><strong id="wbpay"></strong></meter>
          <abbr id="wbpay"></abbr>

                <blockquote id="wbpay"><i id="wbpay"></i></blockquote>