基本的BJT反相器的動態(tài)性能
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考慮到負載電容CL的影響后基本反相器將成為如下圖所示的電路
。圖中CL包含了門電路之間的接線電容以及門電路的輸入電容。
當反相器輸出電壓vO由低向高過渡時 ，電路由VCC通過Rc對CL充電。
當vO由高向低過渡時，CL又將通過BJT放電。
這樣，CL的充、放電過程均需經(jīng)歷一定的時間，這必然會增加輸出電壓vO波形的上升時間和下降時間。特別是CL充電回路的時間常數(shù)RcCL較大時，vO上升較慢，即增加了上升時間。
基于器件內(nèi)部和負載電容的影響 ，導致基本BJT反相器的開關速度不高。
尋求更為實用的TTL電路結構，是下面所要討論的問題。
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