在圖2所示的坐標(biāo)系中，設(shè)入射點距坐標(biāo)原點的距離為x，光楔的傾斜角度為a，此時對應(yīng)的光楔面高度為h：

h＝7＋xtga （mm） （6）

tga＝18/25000＝7.2′10-4

這里取x＝12.5mm=12500mm來計算傳感器調(diào)制光的強度分布，將x的值代入（6）式可得h＝16mm，代入（4）式得到d，再把d代入（3）式即可得到光強I。取光源波長范圍0.6mm～1.75mm，光楔鍍膜反射率R＝0.5，則可以得到如圖所示的光強分布圖。

可見，在光源光譜范圍內(nèi)部分波長處產(chǎn)生了有限個干涉極大值。顯然，在傳感器所在的不同位置，TFFI對光源的調(diào)制情況是不同的，即干涉極大值對應(yīng)的波長值會發(fā)生變化。在波長l較小處，干涉極大值的波峰也較密。