高介電常數柵電介質/金屬柵極的FA CMP技術 作者： 時間：2013-05-27 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> ttp://www.elecfans.com/uploads/allimg/120504/1G31B403-12.jpg" width=545 height=161> 結論 良好的WID、WIW和WTW厚度控制是制造基于HKMG技術的高性能邏輯芯片的關鍵。ILD0化學機械研磨工藝利用FA對不同尺寸大小和密度的芯片結構均提供優(yōu)異的表面形貌和平坦度控制，并且通過使用FullVision實時終點控制系統(tǒng)進一步確保穩(wěn)定的WTW厚度控制。 上一頁 1 2 下一頁
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