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單光子傳感器如何用于量子計(jì)算?

作者: 時(shí)間:2025-05-09 來(lái)源: 收藏

,也稱(chēng)為單光子探測(cè)器 (SPD),能夠精確檢測(cè)和縱單個(gè)光子,這些光子可以用作光子機(jī) (PQC) 中的量子信息載體或量子比特。PQC 是一種基于測(cè)量的 (MBQC),有望實(shí)現(xiàn)高度可擴(kuò)展的系統(tǒng),并在室溫下運(yùn)行。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202505/470251.htm

PQC 中的計(jì)算不是使用量子門(mén),而是依賴(lài)于高度糾纏的量子態(tài)(稱(chēng)為簇態(tài))的局部測(cè)量。這需要。除了在室溫下運(yùn)行之外,與復(fù)雜的多量子比特門(mén)相比,PQC 中的計(jì)算預(yù)計(jì)更易于實(shí)現(xiàn)。

支持 PQC 中的多種作,包括:

  • 檢測(cè)光子的相關(guān)行為以驗(yàn)證其糾纏狀態(tài)。

  • 讀取以光子編碼的量子比特的量子態(tài)。

  • 使用量子隱形傳態(tài)和糾纏光子在量子比特之間傳輸信息。

PQC 研究人員面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是開(kāi)發(fā)可在室溫下工作的單光子探測(cè)器。超導(dǎo)納米線(xiàn)單光子探測(cè)器 (SNSPD) 因其高效率和靈敏度而成為目前最常見(jiàn)的探測(cè)器。還使用了雪崩光電二極管 (APD)。APD 可以在室溫下工作,但大多數(shù) APD 缺乏 PQC 應(yīng)用所需的靈敏度。正在努力開(kāi)發(fā) APD 的新方法,以提高性能,同時(shí)保持室溫運(yùn)行。

典型 SNSPD 的框圖如圖 1 所示。偏振控制器轉(zhuǎn)發(fā)偏振光子,衰減器控制平均光子數(shù),并且需要一個(gè)低溫冷卻器來(lái)支持單光子檢測(cè)。在 SNSPD 的輸出側(cè),偏置器將直流偏置電流傳遞到器件,并將交流信號(hào)從器件傳遞到放大器,放大器將結(jié)果饋送到光子計(jì)數(shù)器。

圖 1.典型 SNSPD 的框圖。(圖片:ScienceDirect)

SNSPD 通常使用氮化鈮 (NbN) 制造,并在低于 4 K 的溫度下運(yùn)行。與當(dāng)前的 APD 設(shè)計(jì)相比,它們具有幾個(gè)重要的性能優(yōu)勢(shì),包括 GHz 速率計(jì)數(shù)(光子可以記錄的速率)、超過(guò) 90% 的高探測(cè)效率(實(shí)際探測(cè)速率與入射光子數(shù)量相比)、10 的低暗計(jì)數(shù)率?4Hz(在沒(méi)有光子的情況下發(fā)生的誤檢測(cè)事件)、低于 5 ps 的小抖動(dòng)(探測(cè)器在光子到達(dá)后記錄光子的時(shí)間變化)和非??斓?10 ps 重置時(shí)間(連續(xù)光子檢測(cè)事件之間的滯后)。

室溫光子傳感器

已經(jīng)證明了一種在 300 K 下運(yùn)行的正常入射鍺硅 (GeSi) 單光子雪崩光電二極管 (SPAD)。預(yù)計(jì)它將支持使用短波紅外 (SWIR) 光子的室溫 PQC作。該器件已針對(duì)與光子集成電路 (PIC) 的集成進(jìn)行了優(yōu)化,旨在支持未來(lái)幾代 PQC。

SPAD 使用基于硅晶片的絕緣體上硅 (SOI) 和硅基鋏 (GOS) 技術(shù),通常用于硅光子學(xué) (SiPh) 器件,以實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 制造兼容性。300 K 下的波導(dǎo) GeSi SPAD 和 4 K 下的 SNSPD 的性能一樣好。

波導(dǎo) GeSi SPAD 具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),如圖 2 所示,可以使用自上而下或自下而上的工藝制造。無(wú)論哪種情況,Al 后鏡都是通過(guò)氧化物蝕刻在波導(dǎo) GeSi SPAD 的末端形成溝槽,然后沉積和圖案化 Al 作為后鏡來(lái)制造的。

圖 2.室溫波導(dǎo) GeSi SPAD 結(jié)構(gòu)和材料。(圖片:APL Quantum))

總結(jié)

使用 SPD 的 PQC 是一種基于集群狀態(tài)的 MBQC,與使用多量子比特門(mén)的機(jī)相比,預(yù)計(jì)更容易實(shí)現(xiàn)。SPD 支持實(shí)施 PQC 所需的量子檢測(cè)、讀取和信息傳輸。目前基于 NbN 的 SNSPD 具有高性能,但必須在低于 4 K 的溫度下運(yùn)行。正在開(kāi)發(fā)與 SiPh 器件兼容的室溫 GeSi SPAD,并提供與低溫 SNSPD 相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>



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