據(jù)外媒報道，英國卡迪夫大學（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現(xiàn)，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發(fā)現(xiàn)的“不穩(wěn)定性”。該發(fā)現(xiàn)可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。從智能手機、GPS到衛(wèi)星和筆記本電腦，復合半導體是此類電子設備不可或缺的一部分。

該項新發(fā)現(xiàn)揭示了一種常用的復合半導體材料 – 砷化鎵（GaA）的表面并不像之前大家認為的那么穩(wěn)定。

該團隊利用卡迪夫大學物理與天文學院和復合半導體研究所最先進的設備，發(fā)現(xiàn)砷化鎵的原子結構存在小塊的不穩(wěn)定性，而且此種不穩(wěn)定性一會出現(xiàn)，一會消失。這是首次在砷化鎵表面觀察到此種“亞穩(wěn)態(tài)”現(xiàn)象。

該研究的合著者 – 卡迪夫大學物理與天文學院的Juan Pereiro Viterbo博士表示：“目前，我們還不知道是否此種現(xiàn)象會影響半導體器件結構的生長，下一步我們會進行研究。如果此種現(xiàn)象發(fā)生在半導體器件的生長過程中，則會產(chǎn)生深遠的影響。最終，此發(fā)現(xiàn)可以幫助我們更好地了解分子結構上發(fā)生的情況，從而能夠研發(fā)新型材料和結構，減少現(xiàn)有復合半導體的缺陷，為通信系統(tǒng)、計算機、電話、汽車等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品?！?/p>

此次發(fā)現(xiàn)的關鍵是可能會創(chuàng)造出新設備，而此種設備將具備此前不存在的新能力。

物理與天文學院和復合半導體研究所的實驗室有一個低能電子顯微鏡，結合使用分子束外延機，研究人員能夠在制造復合半導體的時候，觀察到材料結構的動態(tài)變化。分子束外延是一種用于制造或“生長”復合半導體器件的技術，其工作原理是在襯底上精確發(fā)射極熱原子束或分子束。此類分子落在襯底的表面，凝聚，然后緩慢而系統(tǒng)地積累成超薄層，最終形成復雜的單晶結構。

Viterbo博士表示：“盡管砷化鎵已被深入研究，在生長過程中采用低能電子顯微鏡卻可以觀察到以前從未觀察到的動態(tài)情況?！?/p>