MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用
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驅(qū)動(dòng)電壓變得平緩了些。如果把驅(qū)動(dòng)變壓器的電感量增加到500uH。驅(qū)動(dòng)信號就如下圖：
驅(qū)動(dòng)信號顯得更為平緩。
從這里可以看到，這種驅(qū)動(dòng)，有個(gè)明顯的特點(diǎn)，就是驅(qū)動(dòng)電平，最終到達(dá)MOS的時(shí)候，電壓幅度減小了，具體減小多少呢，應(yīng)該是D*V，D為占空比，那么如果D很大的話，驅(qū)動(dòng)電壓就會變得很小，如下圖，D=0.9
發(fā)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)到達(dá)MOS的時(shí)候，正壓不到2V了。顯然這種驅(qū)動(dòng)不適合占空比大的情況。
從上面可以看到，在驅(qū)動(dòng)工作的時(shí)候，其實(shí)C1上面始終有一個(gè)電壓存在，電壓平均值為V*D，也就是說這個(gè)電容存儲著一定的能量。那么這個(gè)能量的存在，會帶來什么問題呢?
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