大動(dòng)態(tài)范圍數(shù)字化像素單元
作者 陳同少 電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院(四川 成都 610054)
本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/201808/391176.htm陳同少(1991-),男,碩士生,研究方向:SoC/SIP系統(tǒng)芯片技術(shù)。
摘要:紅外焦平面成像電路可將光信號轉(zhuǎn)化為電信號,再通過電路處理,轉(zhuǎn)化為可見圖像,其包含探測電路、讀出電路、信號處理電路,探測電路和讀出電路構(gòu)成像素單元。電容反饋跨阻抗放大電路(CTIA ROIC)由于注入效率比較高,還能為探測器提供穩(wěn)定的偏置電壓,輸出信號的線性也很好,常被應(yīng)用做讀出電路像素單元。傳統(tǒng)的像素單元由于動(dòng)態(tài)范圍(最大可探測信號與最小可探測信號比值)限制,很難在環(huán)境光強(qiáng)變化較大的場景使用,往往需要進(jìn)行對動(dòng)態(tài)范圍進(jìn)行增大。本文設(shè)計(jì)一種在探測電路中加入補(bǔ)償電流方式,使光強(qiáng)較弱時(shí)也能進(jìn)行探測,增大了動(dòng)態(tài)范圍,本設(shè)計(jì)基于CSMC 0.5 μm工藝,通過Spectre仿真工具進(jìn)行仿真與驗(yàn)證。
0 引言
CMOS圖像傳感及其焦平面成像技術(shù),因其功耗低、成本低、光譜靈敏度高等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于空間遙感和天文物理等領(lǐng)域[1-2]。紅外焦平面成像電路包括:光電探測器、讀出電路、信號處理電路[3]。一般原理是光電探測器將光信號轉(zhuǎn)換為電信號,再由讀出電路對電信號進(jìn)行積分放大、采樣輸出,然后由模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC等信號處理模塊進(jìn)行量化處理[4]。讀出電路一般是將探測器產(chǎn)生的光電信號在電容上進(jìn)行積分,輸出以電壓的形式傳給后續(xù)信號處理電路。傳統(tǒng)的讀出電路是在固定時(shí)間內(nèi)完成對光信號的積分,積分完成后通過采樣開關(guān)將積分電壓信號進(jìn)行采樣、保持。當(dāng)探測信號背景光強(qiáng)變化較大的,會(huì)出現(xiàn)兩種情況:強(qiáng)光信號在極短時(shí)間內(nèi)即可積分到截止電壓;弱光信號積分完成時(shí)積分電壓很小,不足以達(dá)到后續(xù)電路的采集或者后續(xù)電路要求很高精度。為達(dá)到不同環(huán)境背景下探測成像的要求,讀出電路動(dòng)態(tài)范圍要大。一般圖像傳感電路動(dòng)態(tài)范圍,即輸出的最大可探測信號與最小可探測信號之比[5],與積分時(shí)間,積分飽和電壓,積分電容以及積分時(shí)間均有關(guān)。數(shù)字化后所需的數(shù)字位數(shù)越多,對應(yīng)的圖像傳感電路動(dòng)態(tài)范圍越大。
目前廣泛應(yīng)用的擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍的方式有自適應(yīng)改變積分電容和強(qiáng)光下多次重置輸出電壓并計(jì)數(shù)方式[6],同時(shí),一些噪聲消除技術(shù)也被應(yīng)用在讀出電路中來增強(qiáng)弱背景下的光強(qiáng)探測[7]。由于改變積分電容方式增加積分電容個(gè)數(shù)及容值[8],像素面積會(huì)相應(yīng)增加較大,不利于像素的集成;多次重置技術(shù)僅提高了強(qiáng)光背景下的光強(qiáng)探測,沒有對弱光探測進(jìn)行增強(qiáng);噪聲消除技術(shù)僅對弱光探測進(jìn)行了提高。本文針對弱光背景下積分電壓未能達(dá)到閾值電壓情況,通過增加補(bǔ)償電流源的方式,使其在積分完成前達(dá)到閾值電壓,同時(shí)通過數(shù)字化讀出電壓的處理,分離出光生電流信號。對于強(qiáng)光背景下的光強(qiáng)探測,也進(jìn)行補(bǔ)償,同樣通過數(shù)字化讀出電壓信號,將強(qiáng)光信號分離出來,增大了讀出電路的動(dòng)態(tài)范圍。
1 大動(dòng)態(tài)范圍數(shù)字化像素原理及電路設(shè)計(jì)
動(dòng)態(tài)范圍增強(qiáng)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于不同環(huán)境下探測光強(qiáng)變化較大的場景[9-11]。不同光強(qiáng)背景下的電流補(bǔ)償技術(shù)主要是針對數(shù)字化像素中未能達(dá)到閾值電壓的弱光信號無法探測的缺陷,通過補(bǔ)償方式使積分電壓在積分完成前達(dá)到閾值電壓,通過數(shù)字化計(jì)數(shù),可得到光生電流與補(bǔ)償電流大小之和,再通過后續(xù)信號處理電路將補(bǔ)償電流減去,得到探測電流大小。數(shù)字化電路計(jì)數(shù)頻率越大,比較器精度越高,可探測光強(qiáng)動(dòng)態(tài)范圍越大且精度越高[10-12]。
1.1 基本原理
如圖1(a)是含有探測電路的CTIA型讀出電路的基本架構(gòu)[3,10]。該電路包含光電二極管Det組成的探測電路,運(yùn)放apm及連接運(yùn)放負(fù)輸入端和輸出端的重置開關(guān)k1和跨阻負(fù)反饋電容C組成的讀出電路。運(yùn)放正向輸入端提供固定電壓Vcom,由于運(yùn)放共模特性,負(fù)向輸入端電壓Vn=Vcom,為光電探測器提供偏置電壓,同時(shí)為輸出電壓提供重置電壓。s1為開關(guān)k1控制信號,在探測開始前閉合對運(yùn)放輸出電壓重置到Vout1=Vcom,探測開始時(shí)s1信號控制k1斷開,探測器Det將光信號轉(zhuǎn)化為電流信號Id,光生電流在電容C上進(jìn)行積分,運(yùn)放輸出電壓隨著積分時(shí)間變化而變化。圖1(b)是積分讀出電壓Vout1在不同光強(qiáng)下隨時(shí)間的變化情況,線③為強(qiáng)光時(shí)的變化,線②為中等光強(qiáng)的變化情況,線①為弱光強(qiáng)的變化情況,由圖可以看出當(dāng)光強(qiáng)大于線②積分所探測的光強(qiáng)時(shí),輸出電壓在積分完成前能達(dá)到比較電壓Vref,可進(jìn)行數(shù)字化;當(dāng)光強(qiáng)小于線②所探測的光強(qiáng)時(shí),如線①的情況,讀出電壓未能達(dá)到比較閾值電壓Vref,數(shù)字化計(jì)數(shù)結(jié)果錯(cuò)誤,所以光強(qiáng)小于線②探測的光強(qiáng)時(shí)不能進(jìn)行探測,大大降低了讀出電路的動(dòng)態(tài)范圍。
2 提高動(dòng)態(tài)范圍技術(shù)
如圖2(a)是含補(bǔ)償電流源的探測讀出電路的基本構(gòu)成。在原有探測讀出電路基礎(chǔ)上,在探測電路中加入由信號s2控制開關(guān)k2控制的補(bǔ)償電流源Icp,補(bǔ)償電流大小為Icp≥C*(Vcom-Vref)/Tmax。當(dāng)Icp= C*(Vcom-Vref)/Tmax時(shí),Vout1變化如圖2(b)中線①所示,當(dāng)加入補(bǔ)償電流源后,電容C上的積分電流總大于圖2(b)中線①所對應(yīng)的積分電流,即補(bǔ)償電流Icp,讀出電壓Vout1的變化為圖2(b)中線②③所示,不會(huì)出現(xiàn)圖1(b)中線①的情況,即讀出電壓Vout1總能在積分完成前達(dá)到比較閾值電壓Vref,從理論上看,全光強(qiáng)背景下的光生電流都能夠被探測到,只要數(shù)字化精度夠,所有光強(qiáng)都會(huì)被量化,動(dòng)態(tài)范圍被增大。
3 整體電路設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)的大動(dòng)態(tài)范圍數(shù)字化單元,整體電路圖如圖3所示。包含探測補(bǔ)償電路,讀出電路和數(shù)字化電路。數(shù)字化電路部分包含比較器cmp,一個(gè)與以及一個(gè)經(jīng)計(jì)數(shù)器,是將讀出電壓Vout1進(jìn)行時(shí)間數(shù)字化處理,讀出電壓經(jīng)過比較器cmp的正向輸入端,與負(fù)向輸入端的固定比較電壓Vref進(jìn)行比較,同時(shí)比較器由信號s1控制清零。比較器輸出信號接入與門與基礎(chǔ)時(shí)鐘信號相與后傳入計(jì)數(shù)器,計(jì)數(shù)器重置由信號s1控制,即在積分開始時(shí)對比較器與基礎(chǔ)時(shí)鐘信號進(jìn)行相與后的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器輸出信號Vout為計(jì)數(shù)的脈沖個(gè)數(shù),Cout為計(jì)數(shù)器溢出信號。
如圖4 所示,顯示了不同光強(qiáng)背景下電路各部分的輸出信號,即不同探測光強(qiáng)環(huán)境,光生電流不同,根據(jù)電流積分轉(zhuǎn)換為電壓公式Id*T=C*?V,則積分輸出電壓從Vcom積分到Vref的時(shí)間不同,比較器cmp輸出端Vout2維持高電平的時(shí)間不同,與基礎(chǔ)時(shí)鐘相與后,輸出信號Vout3含有脈沖的時(shí)間不同,即傳入計(jì)數(shù)器單元的脈沖個(gè)數(shù)不同。時(shí)間數(shù)字化處理就是將不同光強(qiáng)下達(dá)到比較閾值電壓的時(shí)間快慢轉(zhuǎn)換為脈沖個(gè)數(shù),如圖4中的Vout1、Vout2及Vout3對應(yīng)的①②③不同光強(qiáng)下對應(yīng)的不同信號。
4 數(shù)字化結(jié)果分析
由于加入了補(bǔ)償電流,所以脈沖計(jì)數(shù)所計(jì)算對應(yīng)的電流大小包含了光生電流和補(bǔ)償電流。我們需分離出光生電流的大小,才能得出對應(yīng)的光強(qiáng)。由于不同光電流下讀出電壓Vout1達(dá)到Vref時(shí)間不同,則補(bǔ)償電流有效積分時(shí)間不同,如圖5所示,分別對應(yīng)圖4不同光強(qiáng)下的輸出信號情況。不同光強(qiáng)下得到的脈沖計(jì)數(shù)值不同,忽略暗電流的影響,無光背景下僅有補(bǔ)償電流積分,積分到Tmax達(dá)到Vref,即?V=Vcom-Vref。數(shù)字化所得計(jì)數(shù)值Vout為N1,中等光強(qiáng)下光電流與補(bǔ)償電流一起進(jìn)行積分,數(shù)字化計(jì)數(shù)值為N2,強(qiáng)光背景下光生電流很大,與補(bǔ)償電流一起進(jìn)行積分,很短時(shí)間內(nèi)即可積分到Vref。假設(shè)所用基礎(chǔ)時(shí)鐘clk的頻率為fclk,那么以中等光強(qiáng)環(huán)境下探測為例,根據(jù)數(shù)字化計(jì)數(shù)值N2的大小可計(jì)算出光生電流的大小。由電流在電容上的積分公式為:
其中,?V=Vcom-Vref,C為跨阻負(fù)反饋積分電容C的容值大小,Icp為補(bǔ)償電流大小。
5 結(jié)論
本文設(shè)計(jì)了一種大動(dòng)態(tài)范圍像素單元電路。通過分析及仿真結(jié)果可看出,本文所設(shè)計(jì)的通過電流源補(bǔ)償方式,結(jié)合讀出信號的數(shù)字化處理來提高動(dòng)態(tài)范圍的方式,有效提高了弱背景環(huán)境下的光強(qiáng)探測,提高了動(dòng)態(tài)范圍,同時(shí)電路也可加入強(qiáng)光脈沖計(jì)數(shù)的方式,使得強(qiáng)光背景與弱光背景下的光強(qiáng)探測動(dòng)態(tài)范圍得到極大的提高,本文同時(shí)加入了光電流計(jì)算方式,為后續(xù)信號處理算法提供了方便。
參考文獻(xiàn):
[1]倪景華,黃其煜.CMOS圖像傳感器及其發(fā)展趨勢[J].光機(jī)電信息,2008(05):33-38.
[2]李辛毅.紅外焦平面陣列讀出信號處理電路設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研究[D].天津大學(xué),2010.
[3] H. Li-Chao, D. Rui-Jun, Z. Jun-Ling, H. Ai-Bo, and C. Hong-Lei, “A high-performance readout circuit (ROIC) for VLWIR FPAs with novel current mode background suppression,”
[4]姚立斌,陳楠,張濟(jì)清,等.數(shù)字化紅外焦平面技術(shù)[J].紅外技術(shù),2016,38(05):357-366.
[5] X. C. Fang, C. Hu-Guo, N. Ollivier-Henry, D. Brasse and Y. Hu, "Design of a Multi-Channel Front-End Readout ASIC With Low Noise and Large Dynamic Input Range for APD-Based PET Imaging," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 57, no. 3, pp. 1015-1022, June 2010.
[6]Matou K, Ni Y.Precise FPN compensation circuit for CMOS APS [J].Electronics Letters, 2002, 38(19) :1078-1079.
[7]Hsiu-Yu Cheng, Ya-Chin King.A CMOS Image Sensor with Dark-Current Cancellation and Dynamic Sensitivity Operations.IEEE Transactions on Electronics Devices, 2003, 50(1): 91-95.
[8]T. Zhou, T. Dong, Y. Su and Y. He, "A CMOS Readout With High-Precision and Low-Temperature-Coefficient Background Current Skimming for Infrared Focal Plane Array," in IEEE Transactions on Circuits and Systems for Video Technology, vol. 25, no. 8, pp. 1447-1455, Aug. 2015.
[9]徐斌,袁永剛,李向陽.像素級數(shù)字化紫外焦平面讀出電路的研究[J].半導(dǎo)體光電,2014,35(05):768-772+806.
[10]劉傳明,姚立斌.紅外焦平面探測器數(shù)字讀出電路研究[J].紅外技術(shù),2012,34(03):125-133.
[11]劉宇. 基于0.35 μm工藝設(shè)計(jì)的APS CMOS圖像傳感器[A].《半導(dǎo)體光電》編輯部.2004全國圖像傳感器技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)議論文集[C].《半導(dǎo)體光電》編輯部:,2004:4.
[12]Hsien-Chun Chang, Cheng-Hsiao Lai and Ya-Chin King, "Tunable injection current compensation architecture for high fill-factor self-buffered active pixel sensor," in IEEE Sensors Journal, vol. 3, no. 4, pp. 525-532, Aug. 2003.
本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2018年第9期第67頁,歡迎您寫論文時(shí)引用,并注明出處。
評論