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美科學(xué)家首次以納米精度檢測(cè)太陽(yáng)能電池

作者: 時(shí)間:2017-06-29 來(lái)源:科技部 收藏

  美國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究院(NIST)近日發(fā)布消息聲稱,該機(jī)構(gòu)研究人員利用兩種新技術(shù),首次以納米級(jí)精度檢測(cè)了廣泛使用的的化學(xué)成分及缺陷的變化。新技術(shù)檢測(cè)了用碲化鎘半導(dǎo)體材料制造的常見,有望幫助科學(xué)家更好地了解的微觀結(jié)構(gòu),并可能提出進(jìn)一步提高太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)化效率的方法。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/201706/361217.htm

  在研究中,NIST科學(xué)家利用兩種依賴原子力顯微鏡(AFM)的輔助方法,通過(guò)光誘導(dǎo)共振(PTIR)來(lái)測(cè)量太陽(yáng)能電池樣品從可見光到中紅外線的寬波長(zhǎng)范圍吸收光的數(shù)量,從而在納米級(jí)尺度得到太陽(yáng)能電池的構(gòu)成及其缺陷。另一項(xiàng)技術(shù),被稱為掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡(dt-NSOM),通過(guò)記錄特定位置傳輸光的數(shù)量來(lái)捕捉太陽(yáng)能電池的組成及缺陷的變化,從而形成詳細(xì)的納米尺度圖像。

  實(shí)驗(yàn)表明,材料晶體排列的缺陷與其化學(xué)構(gòu)成中的雜質(zhì)相關(guān),新技術(shù)能檢測(cè)碲化鎘樣品中所謂的深層次缺陷的空間變化。這些缺陷引起碲化鎘與其它半導(dǎo)體中的電子和質(zhì)子(帶正電荷的顆粒)重新組合而不是發(fā)電,這是導(dǎo)致太陽(yáng)能電池?zé)o法取得理論成效的關(guān)鍵原因之一。

  該研究成果具有廣泛適用性,將有助于太陽(yáng)能電池研究,更好地了解各種光伏材料。該研究成果發(fā)表在2017年4月12日的《Nanoscale》雜志上。



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