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高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--高阻器件噪聲測(cè)試技術(shù)的驗(yàn)證和應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2017-02-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

4.1電壓噪聲測(cè)試技術(shù)的驗(yàn)證

4.1.1測(cè)試技術(shù)驗(yàn)證方案及驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)

為了驗(yàn)證該系統(tǒng)的可靠性,我們采用圖3.9中的測(cè)試方法對(duì)1M的厚膜電阻進(jìn)行了電壓噪聲測(cè)試,其中Rx為待測(cè)阻值為1M的厚膜電阻,Rt為400K繞線電阻,R1為25K可變繞線電阻,R2為10K繞線電阻。

這里要注意,以上電阻的阻值都是標(biāo)稱容值,實(shí)際的阻值會(huì)與標(biāo)稱值有一定差異,因此在實(shí)際測(cè)試時(shí),需要調(diào)整R1,直至兩邊電橋平衡。電橋平衡的表現(xiàn)是放大器輸入信號(hào)中無(wú)直流偏置。放大器采用自行設(shè)計(jì)的AD743放大電路。驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)分別采用一個(gè)定性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)和一個(gè)定量驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。

如果測(cè)試結(jié)果是正確的,我們會(huì)在信號(hào)功率譜密度的低頻段看到明顯的1/f噪聲信號(hào)曲線,或者是1/f噪聲信號(hào)與爆裂噪聲的疊加曲線,這種曲線會(huì)隨著頻率的增大而不斷降低,并且在對(duì)數(shù)坐標(biāo)中,其斜率近似為-1.同時(shí)我們還會(huì)在曲線上頻率稍高的部分看到一條直線,該直線為熱噪聲。對(duì)于定量驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),我們采用著名的胡格公式(2-9)。根據(jù)公式(2-9)我們很容易的推得,器件的電壓功率譜噪聲應(yīng)該與器件兩端所施加偏置電壓的平方成正比。

4.1.2測(cè)試技術(shù)驗(yàn)證結(jié)果

我們分別在16V和32V的直流偏執(zhí)下測(cè)試了樣品的電壓噪聲,測(cè)試結(jié)果如圖4.1所示。圖中在50Hz的整數(shù)倍的頻點(diǎn)處的尖峰為計(jì)算機(jī)電源信號(hào)傳入的諧波干擾,從圖中我們可以明顯看出兩條曲線的在低頻端的趨勢(shì)均符合1/f噪聲的特點(diǎn),這說(shuō)明本測(cè)試技術(shù)所測(cè)得的結(jié)果即為器件的1/f噪聲。

圖4.1只是通過(guò)定性分析來(lái)驗(yàn)證該測(cè)試方法,接下來(lái),我們結(jié)合具體數(shù)據(jù)和低頻噪聲有關(guān)理論來(lái)證明測(cè)試技術(shù)的可靠性?,F(xiàn)將曲線中的頻點(diǎn)數(shù)據(jù)列于下表:



從上表中我們可以看出,當(dāng)樣品兩端的偏壓增加了一倍,其噪聲功率譜密度的數(shù)值都變?yōu)榇蠹s原來(lái)的4倍,這與胡格公式相吻合,因此說(shuō)明本研究中設(shè)計(jì)的新的測(cè)試技術(shù)是可靠的。

4.2電流噪聲測(cè)試技術(shù)的驗(yàn)證

4.2.1測(cè)試技術(shù)驗(yàn)證方案及驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)

該驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)中,我們測(cè)試了標(biāo)稱容值為157 uF的聚合物鉭電解電容的漏電流噪聲。其等效絕緣電阻大于500MΩ,額定電壓為6.3V,測(cè)試條件為室溫300K,對(duì)器件兩端所加測(cè)試電壓為5V,電流放大器采用SR570電流放大器,放大倍數(shù)為5×10 7。

我們首先對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行噪聲曲線的直觀定性驗(yàn)證。對(duì)器件及介質(zhì)材料噪聲信號(hào)的功率譜密度性質(zhì)的研究表明,器件或介質(zhì)材料功率譜密度譜圖在高頻部分應(yīng)該為一幅值為常量A并與X軸(頻率坐標(biāo)軸)平行的直線,該直線即為樣品的白噪聲,是一定會(huì)有的噪聲成分。但由于電流放大器對(duì)信號(hào)的衰減,我們無(wú)法觀察到這一與X軸平行直線。如果本方案中的方法正確,我們?cè)谡箤掝l帶還原信號(hào)后的功率譜密度圖中應(yīng)該可以看到該直線。

另一方面,我們還對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行了定量驗(yàn)證。如果該方法正確,則該測(cè)試方法中的歸一化函數(shù)在還原電流噪聲功率譜密度的高頻部分時(shí),能保證其低頻段數(shù)據(jù)與傳統(tǒng)方法所測(cè)得的數(shù)據(jù)基本一致。

4.2.2測(cè)試技術(shù)驗(yàn)證結(jié)果

圖4.2是采用傳統(tǒng)方法在上述實(shí)驗(yàn)條件下測(cè)得的電流噪聲功率譜密度圖,由于放大器通頻帶過(guò)于狹窄,100Hz以上頻帶部分的熱噪聲信號(hào)出現(xiàn)衰減失真。

圖4.3是利用本方案展寬頻帶還原后的信號(hào)。可以看到還原后的信號(hào)在500Hz-5KHz的高頻部分出現(xiàn)了應(yīng)該觀察到的白噪聲,這與低頻噪聲基本理論吻合。

圖4.4是采用已有測(cè)試方法和本方案方法的對(duì)比圖??梢钥吹竭€原后的信號(hào)在1Hz-100Hz的頻率范圍內(nèi)與傳統(tǒng)方法沒(méi)有失真的低頻段數(shù)據(jù)吻合度非常高。這說(shuō)明本方案中的信號(hào)還原展寬頻帶的方法在將高頻部分信號(hào)還原的同時(shí),能確保對(duì)信號(hào)未失真的低頻部分?jǐn)?shù)據(jù)無(wú)明顯影響。在該驗(yàn)證試驗(yàn)中,本方案中的測(cè)試方法將信號(hào)的頻帶展寬了50倍。

4.3電壓噪聲測(cè)試技術(shù)應(yīng)用于高阻厚膜電阻的篩選

4.3.1噪聲對(duì)高阻厚膜電阻的影響

大阻值厚膜電阻主要應(yīng)用在微電流檢測(cè)電路和微弱信號(hào)放大系統(tǒng)以及各類傳感器上(雷達(dá)、放射性測(cè)量?jī)x、夜視系統(tǒng)、紅外測(cè)量、電子顯微技術(shù)、質(zhì)普儀)。

其工作原理如下:來(lái)自于上述傳感器的輸出電流通常很小,甚至?xí)〉絧A或fA級(jí),為了采集到如此微弱的信號(hào),我們通常會(huì)讓微弱的電流流過(guò)一個(gè)阻值非常大的電阻,這樣我們就將微弱的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為大到系統(tǒng)可以分辨的電壓信號(hào),使信號(hào)的采集工作能正常完成。

然而這類系統(tǒng)的分辨率會(huì)受到電阻低頻噪聲的影響。由于電阻自身會(huì)由熱噪聲產(chǎn)生一個(gè)噪聲電壓;并且作為電子器件,電阻本身也會(huì)產(chǎn)生1/f噪聲,甚至爆裂噪聲,因此這些噪聲電壓分量的疊加后的電壓就是系統(tǒng)的最小分辨率。由于個(gè)體電阻的微觀材料內(nèi)部缺陷數(shù)量有所不同,因此不同電阻的1/f噪聲值幅值會(huì)有所不同。同樣的,部分樣品在生產(chǎn)過(guò)程中混入了深能級(jí)重金屬雜質(zhì),因而具有爆裂噪聲,使該器件的噪聲幅值明顯增加。所以在眾多樣品中挑選出噪聲電壓最低的電阻作為傳感器系統(tǒng)的關(guān)鍵部件對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的分辨率提高有顯著的作用。

4.3.2噪聲測(cè)試實(shí)驗(yàn)方案

傳統(tǒng)電壓噪聲測(cè)試技術(shù)可以用于測(cè)試阻值較低的厚膜電阻的電壓噪聲。但當(dāng)被測(cè)貼片電阻的阻值不斷升高時(shí),對(duì)于放大器來(lái)說(shuō),相當(dāng)于信號(hào)源阻抗在不斷增大,因此傳統(tǒng)方法的測(cè)試效果會(huì)不斷下降。對(duì)于電壓噪聲測(cè)試來(lái)說(shuō),相當(dāng)于噪聲信號(hào)不斷逼近系統(tǒng)的本底噪聲,最終當(dāng)阻值升高達(dá)到一定阻值時(shí),會(huì)導(dǎo)致樣品的噪聲信號(hào)湮滅在系統(tǒng)背底噪聲之中,無(wú)法被識(shí)別。

所以,為了能對(duì)高阻厚膜電阻進(jìn)行低頻噪聲測(cè)試技術(shù),我們必須采用其他技術(shù),這里我們采用圖3.9中設(shè)計(jì)的電壓噪聲測(cè)試技術(shù)來(lái)進(jìn)行測(cè)試。并通過(guò)對(duì)結(jié)果數(shù)據(jù)的分析來(lái)驗(yàn)證本測(cè)試技術(shù)。


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