方案一：低成本、多功能、低分辨率顯示方案

該方案采用性價比最高的A3P030和SRAM來實現，不僅成本低，而且靈活性非常大，實現的功能豐富，由于采用性價比較高的SRAM,容量有限，適合于低分辨率的TFT屏顯示。

功能特點：

1、采用Microsemi小容量的A3P030以及SRAM(IS61LV25616AL)來實現，具有成本低的特點

2、接口非常靈活，根據不同的需要可以定制Intel并行總線接口、SPI接口等

3、并行總線接口的速度最高可達25MHz左右，相當于480×272分辨率的TFT在1秒鐘內可以更新191副圖片;SPI的時鐘速度同樣可以達到25MHz以上的速度

4、支持雙緩存的操作，兩個緩存都可進行讀寫的操作

5、支持雙緩存間數據拷貝功能，兩緩存間可以進行DMA的數據拷貝

6、支持定點和區(qū)域更新內容

7、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT顯示屏，刷新率在60Hz以上

8、支持前景色和背景色設置的功能

9、顯示數據來源于MCU,數據可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放圖片、漢字庫等，容量大小由用戶自行控制

10、配套提供的MCU GUI庫可以實現畫點、畫線、畫圓、畫矩形等功能

方案二：低成本、高性能、高分辨率顯示方案

該方案采用A3P060和SDRAM的方式實現，同樣成本低，由于Microsemi資源較為豐富，并且內部帶有PLL,所以可以實現高分率的TFT顯示，最高可達1024×768.

功能特點：

1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SDRAM(IS42S16400F)來實現，同樣具有成本低的特點

2、接口靈活，根據不同的需要可以定制Intel并行總線接口或SPI接口等

3、并行總線接口的速度最高可達50MHz左右，相當于800×600分辨率的TFT在1秒鐘內可以更新100副圖片

4、支持雙緩存的操作，兩個緩存都可進行讀寫的操作

5、支持定點和區(qū)域更新內容

6、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT顯示屏，刷新率在60Hz以上

7、顯示數據來源于MCU,數據可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放圖片、漢字庫等，容量大小由用戶自行控制

8、配套提供的MCU GUI庫可以實現畫點、畫線、畫圓、畫矩形等功能

方案三：高性能、低分辨率顯示方案

該方案采用A3P060和SRAM的方式實現，并將串行Flash由FPGA來控制，由于A3P060資源較為豐富，可以實現較高的圖片顯示速度，并且降低了MCU的負擔。

功能特點：

1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SRAM(IS61LV25616AL)來實現，成本較低，略高于前兩者的方案

2、接口靈活，根據不同的需要可以定制8位Intel并行總線接口或SPI接口等

3、TFT的顯示數據通過FPGA從串行Flash讀取，MCU負責發(fā)送圖片顯示的命令，大大減輕了MCU的負擔，以至于可以通過普通的8位MCU即可實現TFT的控制顯示，1秒鐘內可以更新30副320×240分辨率的圖片

4、支持定點和區(qū)域更新內容

5、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT顯示屏

6、串行Flash最高支持128Mbit的，可以存放61幅480*272的圖片

7、配套提供的MCU GUI庫可以實現畫點、畫線、畫圓、畫矩形等功能

方案四：多功能、高分辨率顯示方案

該方案采用A3P125和SDRAM的方式實現，由于A3125資源較為豐富，除了可以實現高分辨率的顯示以外，還可以實現多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

功能特點：

1、采用Microsemi中等容量的A3P125以及SDRAM(IS42S16400F)來實現，功能豐富，性能較高;

2、接口靈活，根據不同的需要可以定制Intel并行總線接口或SPI接口等;

3、并行總線接口的速度最高可達50MHz左右，相當于800×600分辨率的TFT在1秒鐘內可以更新100副圖片;

4、支持雙緩存的操作，兩個緩存都可進行讀寫的操作;

5、支持雙緩存間數據拷貝功能，兩緩存間可以進行DMA的數據拷貝;

6、支持定點和區(qū)域更新內容;

7、支持多圖層的操作，可以支持2~4個圖層，根據不同的分辨率不同而不同;

8、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT顯示屏，刷新率在60Hz以上;

9、顯示數據來源于MCU,數據可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放圖片、漢字庫等，容量大小由用戶自行控制;

10、配套提供的MCU GUI庫可以實現畫點、畫線、畫圓、畫矩形等功能。