3DNAND閃存在全球競(jìng)爭(zhēng)的態(tài)勢(shì)是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達(dá)256Gb，48層之外，其它對(duì)手們幾乎都在追趕。隨著CVD工藝淀積層數(shù)的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時(shí)，要達(dá)到60：1及70：1的付蝕已經(jīng)很難。所以這個(gè)球己踢給設(shè)備供應(yīng)商，它們要獲得訂單必須要為客戶解決難關(guān)。而據(jù)來自半導(dǎo)體設(shè)備廠的消息，未來128層尚有希望。這樣在對(duì)手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線成功的希望。

　　不管如何，現(xiàn)階段的自行研發(fā)一定要加緊突破，32層及48層都是前進(jìn)中的關(guān)鍵點(diǎn)，而且一定要把研發(fā)與量產(chǎn)結(jié)合在一起，改變之前兩者脫節(jié)的弊病。同時(shí)要充分利用好設(shè)備制造商，它們手中握有許多關(guān)鍵工藝技術(shù)，在提供設(shè)備的同時(shí)與我們分享。

　　未來它們對(duì)付中國的方法可能是首先打IP戰(zhàn)，控制技術(shù)與人材流失，以及最后一招是打價(jià)格戰(zhàn)，讓中國的企業(yè)在財(cái)務(wù)方面無法承受。因此現(xiàn)階段對(duì)手們是集體的“袖手旁觀”，等著看中國出錯(cuò)，最好是讓我們知難而退。

　　對(duì)于中國存儲(chǔ)器芯片制造項(xiàng)目，一定是場(chǎng)艱難的仗。預(yù)計(jì)無論是3DNAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國要解決的是從無到有的問題，相信是完全可能的，然而由于采用技術(shù)的不同，以及制造成本方面的顯著差異，未來可能的痛點(diǎn)是在面臨巨額虧損下不動(dòng)搖，不氣餒，只有堅(jiān)持下去才有成功的希望。在此點(diǎn)上需要決策層面早有充分的預(yù)案與準(zhǔn)備。

　　引用麥肯錫亞太區(qū)半導(dǎo)體咨詢業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人唐睿思說，“我一直在強(qiáng)調(diào)一個(gè)重點(diǎn)，就是要有長(zhǎng)期的耐心資本，需等待很長(zhǎng)時(shí)間才能見效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會(huì)有進(jìn)步，執(zhí)行力更好、有更多業(yè)務(wù)……在半導(dǎo)體行業(yè)成功是沒有捷徑的!”