存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場現狀
Intel/美光:容量最高的3D NAND閃存
本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/201604/289533.htm這幾家廠商中,Intel、美光的3D NAND閃存來的最晚,去年才算正式亮相,不過好菜不怕晚,雖然進度上落后了點,但IMFT的3D NAND有很多獨特之處,首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術量產的,所以在成本及容量上更有優(yōu)勢,其MLC類型閃存核心容量就有256Gb,而TLC閃存則可以做到384Gb,是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。

美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量還不終點,今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND閃存論文,雖然短時間可能不會量產,但已經給人帶來了希望。
Intel的殺手锏:3D XPoint閃存
IMFT在3D NAND閃存上進展緩慢已經引起了Intel的不滿,雖然雙方表面上還很和諧,但不論是16nm閃存還是3D閃存,Intel跟美光似乎都有分歧,最明顯的例子就是Intel都開始采納友商的閃存供應了,最近發(fā)布的540s系列硬盤就用了SK Hynix的16nm TLC閃存,沒有用IMFT的。
Intel、美光不合的證據還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠,準備量產新一代閃存,很可能就是3D XPoint閃存,這可是Intel的殺手锏。

3D XPoint閃存是Intel掌控未來NAND市場的殺手锏
這個3D XPoint閃存我們之前也報道過很多了,根據Intel官方說法,3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內存及閃存,性能是普通顯存的1000倍,可靠性也是普通閃存的1000倍,容量密度是內存的10倍,而且是非易失性的,斷電也不會損失數據。
由于還沒有上市,而且Intel對3D XPoint閃存口風很嚴,所以我們無法確定3D XPpoint閃存背后到底是什么,不過比較靠譜的說法是基于PCM相變存儲技術,Intel本來就是做存儲技術起家的,雖然現在的主業(yè)是處理器,但存儲技術從來沒放松,在PCM相變技術上也研究了20多年了,現在率先取得突破也不是沒可能。
相比目前的3D NAND閃存,3D XPoint閃存有可能革掉NAND及DRAM內存的命,因為它同時具備這兩方面的優(yōu)勢,所以除了做各種規(guī)格的SSD硬盤之外,Intel還準備推出DIMM插槽的3D XPoint硬盤,現在還不能取代DDR內存,但未來一切皆有可能。
最后再回到我們開頭提到的問題上——中國大陸現在也把存儲芯片作為重點來抓,武漢新芯科技(XMC)已經在武漢開工建設12英寸晶圓廠,第一個目標就是NAND閃存,而且是直接切入3D NAND閃存,他們的3D NAND技術來源于飛索半導體(Spansion),而后者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR閃存部門合并而來,后來他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價格收購。
2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協議,雙方合作研發(fā)、生產3D NAND閃存,主要以后者的MirrorBit閃存技術為基礎。不過小編搜遍了網絡也沒找到多少有關MirrorBit的技術資料。這兩家公司的閃存技術多是NOR領域的,3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的,有一種說法是MirrorBit的堆棧層數只有8層,如果真是這樣,相比主流的32-48層堆棧就差很遠了,成本上不會有什么優(yōu)勢。
評論