圖3電路中，M3～M6四個(gè)PMOS晶體管工作在飽和區(qū)，它們的寬長(zhǎng)比相同。M1和M2兩個(gè)NMOS晶體管工作在飽和區(qū)，它們的寬長(zhǎng)比為(W／L)2／(W／L)1=m。通過調(diào)節(jié)電路，使得M7～M10四個(gè)NMOS晶體管工作在深線性區(qū)。現(xiàn)在討論電路的工作原理。
對(duì)于X點(diǎn)和Y點(diǎn)的對(duì)地電壓，可以分別表示為：

通過式(5)和式(15)可以看出，在這個(gè)電路中，式(5)的系數(shù)：

它是一個(gè)僅與器件尺寸有關(guān)，而與溫度無關(guān)的常數(shù)。
通過式(9)和式(10)可知，此電路可以產(chǎn)生一個(gè)與絕對(duì)溫度成正比的電流。

2 基準(zhǔn)電壓的產(chǎn)生
對(duì)于一個(gè)工作在飽和區(qū)的二極管連接NMOS晶體管，如圖4所示，它的Vgs=Vds流過它的飽和漏電流為：

對(duì)于MOS管的閾值電壓Vth，它的一階近似表達(dá)式可以表示為：

式中：Vth0為MOS管工作在絕對(duì)零度時(shí)的閾值電壓；aVT為一個(gè)與溫度無關(guān)的常數(shù)；T-T0為溫度變化量。對(duì)于一個(gè)MOS管的遷移率μn：它的大小可以表示為：
μn=μn0(T／T0)-m (19)
式中：μn0為絕對(duì)溫度時(shí)MOS管的遷移率值；T0為絕對(duì)零度；T為溫度變化量；m為比例變化因子，它的典型值為1．5。