4 一流電源產品離不開先進的元器件及先進的工藝

4.1 功率器件的發(fā)展是電源技術發(fā)展的基礎

功率MOSFET是目前最快速度的功率器件。目前較先進的水平電壓可達1200V，電流可達60A，頻率可達2MHz，導通電阻可達0.1Ω左右。提高器件耐壓，同時減小其導通電阻仍是今后MOSFET的主要研究方向。

絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的電力電子器件，它的控制極為絕緣柵控場效應晶體管，輸出極為PNP雙極功率晶體管，因而具有兩者的優(yōu)點，而克服了兩者的缺點。目前耐壓可達6.5kV，電流可達1.2kA，今后的主攻方向仍是擴大容量，減小內阻，以減小導通損耗。由于IGBT經常工作在高頻、高壓、大電流狀態(tài)下，又由于電源作為系統(tǒng)的前級，易受電網波動、雷擊影響，容易損壞，故IGBT的可靠性直接影響電源可靠性，所以，在選擇IGBT時，除作降額考慮外，對IGBT的保護設計也極為重要。

IGCT是GTO的更新換代產品，它應用了分布集成門極驅動，淺層發(fā)射極等技術。器件的開關速度有一定提高，同時減少了門極驅動的功率，應用方便，IGCT的出路仍然是高電壓、大容量。

4.2 變壓器與磁性元件

隨著電力電子技術的發(fā)展和成熟，人們逐漸認識到磁性元件不僅是電源中的功能元件，同時其體積、重量、損耗在整機中也占相當比例。據統(tǒng)計，磁性元件的重量一般是變換器總重量的30％～40％，體積占總體積的20％～30％，對于模塊化設計的高頻電源，磁性元件的體積、重量所占的比例還會更高。另外，磁性元件還是影響電源輸出動態(tài)性能和輸出紋波的一個重要因素。因此，要提高電源的功率密度、效率和輸出品質，就應對減小磁性元件的體積、重量及損耗的相關技術進行深入研究，以滿足電源發(fā)展的需要。

對于低、中頻電源的變壓器，建議采用R型變壓器，其特點是損耗低，體積小，無噪聲，抗干擾能力強。目前發(fā)展狀況是單相功率范圍已擴展到1VA～100kVA，三相功率范圍已擴展到315kVA。未來主攻的方向是設法克服應用中沖擊電流比較大的缺點。

對于高頻變壓器，主要用于各種形式的開關電源，頻率為20kHz～500kHz，功率可做到數十kW，所用材料主要是非晶、微晶、超微晶、軟磁鐵氧體材料。當變壓器工作頻率大于700kHz時，變壓器中的渦流損耗將急劇增加，約占總損耗的80％，為減小其損耗，必須在功率鐵氧體材料中加納米添加劑，從而出現了用納米晶軟磁合金和納米晶磁材制成的各種變壓器。當前比較好的有日本TDK公司、FDK公司所提供的高頻磁芯和德國VAC公司所推出的超微晶磁材，這種磁材具有非常高的初始導磁率，一般高達幾萬，而材料所使用的頻率為300kHz～1MHz，中心頻率為500kHz。

目前，磁性材料最高工作頻率可達1.5MHz，這就是我國浙江天通公司所研制的MnZn鐵氧體TP5A材料。以上這些材料所制成的變壓器有貼片式變壓器、印制焊接式變壓器、變壓器模塊、各種形式的分體式變壓器、插入式變壓器、PCB平面變壓器及多層線路板平面變壓器。而平面多層變壓器，目前佩頓公司已能提供功率為5～25kW，頻率為50kHz到2MHz的一系列PM產品，預計最近幾年電源變壓器需求旺盛，已成為迅速發(fā)展的熱門產品，而電子變壓器未來發(fā)展的目標是輕量、高效、高密度化，電源變壓器發(fā)展的目標是表面安裝、高功率和高壓化。

4.3 磁集成技術的發(fā)展和應用

所謂磁集成技術，就是將變換器中的兩個或多個分立磁體繞制在一副磁芯中，從結構上集中在一起。集中后的磁件擬稱為集成磁件，通過一定的耦合方式，合理的參數設計，能有效地減小磁體的體積和損耗。在一定應用場合，還可以減小電源輸出紋波，提高電源輸出的動態(tài)性能。另外，磁集成技術明顯能減小連接端，可有效地減少大電流場合端子的損耗。

集成技術的發(fā)展歷史已有70余年，目前已能實現電感與電感集成，電感與變壓器集成，并廣泛地應用于電壓調整模塊、功率因數校正、諧振變換器等場合，隨著未來電源的發(fā)展，新型磁性材料和磁芯將不斷涌現，勢必對磁集成技術提出更高要求，所以，此技術今后的主攻方向仍然是進一步拓寬磁集成技術的應用領域，擴大應用場合，不斷研究適用于新的磁性材料與磁芯結構的磁集成技術，為電源縮體，減重做貢獻。

5 結語

由于文章篇幅有限，僅談上述幾點，供同行參考，不妥之處，請指正。