新穎電壓型有源箝位正激控制IC-LM5027
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2．5 軟起動
軟起動電路允許穩(wěn)壓器逐漸增加輸出電壓一直到穩(wěn)態(tài)工作點。因此減少了起動應力和浪涌電流，當偏置源給LM5027供電時，SS端電容由內部MOSFET放電。當UVLO、OTP、VCC和RES端達到工作閾值后，軟起動電容被釋放。開始以22μA電流源充電。當SS端電壓達到1V時，輸出脈沖命令以慢慢增加占空比的方式給出，SS端電壓最后達到5V。PWM比較器上的電壓由所需的電壓限制。其由COMP端的反饋環(huán)電壓決定。當軟起動電壓達到4．0V時。SSSR端的電容釋放并以25μA電流源充電。當SSSR端電壓達到大約2．5V時，內部同步整流器的PWM電路逐漸增加同步整流器的占空比(OUTSR)。此占空比正比于SSSR端的電壓。延遲的SSSR柵驅動脈沖直到主電路軟起動完成之后才允許輸出電壓達到調整值。這個延遲可以防止同步整流器從輸出端漏進電流。
2．6 軟關斷
如果UVLO端電壓降到待機閾值2．0V以下，但還可以高于0．4V的關短閾值，同步整流的軟起動電容以20μA電流源放電，這樣禁止了同步整流器。在SSSR電容放電到2．0V后，軟起動和同步整流迅速放電到GND電平。終止PWM脈沖于OUTA、OUTB和OUTSR處，PWM脈沖在SSSR電壓減小時停止。如果VCC或REF電壓降到給定電壓以下。即開始軟關斷程序。
2．7 外部過熱保護
在REF、OTP和AGND之間用電阻分壓器設置一個點，如圖2所示。這即是一種過熱保護的方法。熱敏電阻NTC放在分壓器的低處。分壓器必須設計成過熱時在OTP端為1．25V以下。OTP的窗口由內部20μA電流源完成。其開或關都會進入外部的分壓器。當OTP端電壓超過1．25V時。電流源激活，迅速令OTP端電壓上升。當OTP端電壓低于1．25V時。電流源關斷。會使OTP端電壓迅速下降。當降到1．25V以下時。LM5027將通過軟關斷方式停止工作。本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/178771.htm
2．8 PWM比較器
脈寬調制器比較器比較RAMP端的電壓斜波和環(huán)路反饋的誤差信號。環(huán)路誤差信號從隔離電路反饋接收。其由光耦中的NPN晶體管加一支5K電阻接于5V基準電壓處取得。在PWM輸入處約1V電平。光耦直接接于REF和COMP之間。因為COMP端為電流鏡輸入?？邕^光耦的檢測器接近恒定。帶寬限制了相位延遲。PWM比較器的極性使之沒有電流進入COMP端。控制器此刻在OUTA處產(chǎn)生最大占空比。
2．9 前饋斜波
外部電阻REF和電容CFF接于VIN、AGND間。RAMP端需要建立一個PWM斜波信號，如圖3。信號斜率在RAMP端會產(chǎn)生變化。其正比于輸入電
壓。這種變化的斜率提供了線路前饋信息，可以改善電壓控制型的瞬態(tài)響應。RAMP信號與脈寬調制器比較誤差信號，使導通時間與輸入電壓成反比。穩(wěn)定變壓器的伏秒積比傳統(tǒng)電壓形控制有很大改進。結果反饋環(huán)僅僅需要很小的校正去應對大的輸入電壓變化。在每個時鐘周期結束時，IC內一個10Ω的RSDON的小MOSFET使能，去將Gff電容復位到GND電平。
2．10 伏秒積鉗制
外部一支電阻REF和一個電容CFF連接于VIN，RAMP和AGND之間。需要建立一個鋸齒調制斜波信號，見圖3。RAMP的斜率變化正比于輸入電壓，并改變PWM斜波的斜率。其與輸入電壓提供的線路前饋信息成反比，用此改善電壓控制型的瞬態(tài)響應。用一個恒定的誤差信號令導通時間的變化與輸入電壓成反比，以此穩(wěn)定變壓器初級的伏秒積。
伏秒積箝制比較斜波信號和固定的2．5V基準。合適地選擇RFF和CFF，主開關的最大導通時間可以按照所需要的區(qū)間來設置，以便在200k Hz 18V線路電壓時實現(xiàn)90％的占空比。200kHz頻率及90％占空比需要4．5μs的導通時間。在18V輸入時，伏秒積為81μs(18V×4．5μs)來實現(xiàn)這個箝制水平。
選擇CFF=4．70pF，則RFF=68．9kΩ。
推薦電容值，應對CFF為100～1000pF。CFF斜波電容在每個周期結束時由內部開關放電。此開關可以接到PWM比較器或CS比較器，或者伏秒箝制比較器。
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