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準諧振反激式電源架構及應用

作者: 時間:2011-08-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/178671.htm

  圖4 MOSFET漏-源電壓

  準或谷值開關的優(yōu)勢

  在反激式設計中采用準或谷值開關方案有著若干優(yōu)勢。

  降低導通損耗

  這種設計為設計人員提供了較低的導通損耗。由于FET轉換具有最小的漏源電壓,在某些情況下甚至為零,故可以減小甚至消除導通電流尖峰。這減輕了MOSFET的壓力以及的EMI。

  降低關斷損耗

  準也意味著更小的關斷損耗。由于規(guī)定FET會在谷值處進行轉換,在某些情況下,可能會增加額外的漏源電容,以減低漏源電壓的上升速度。較慢的漏源電壓上升時間會減少FET關斷時漏級電流和漏源電壓之間的電壓/電流交迭,使到MOSFET的功耗更少,從而降低其溫度及增強其可靠性。

  減少EMI

  導通電流尖峰的減小或消除以及較慢的漏源電壓上升速度都會減少EMI。一般而言,這就允許減少EMI濾波器的使用數(shù)量,從而降低成本。

  結語

  利用準諧振技術可以協(xié)助設計人員實現(xiàn)這些目標。準諧振或谷底開關能減輕MOSFET的壓力,從而提高其可靠性。利用準諧振技術,由于波形的諧波含量降低,電源的EMI因此得以減少。


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關鍵詞: 應用 架構 電源 諧振

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