D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用
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在射頻激勵(lì)信號(hào)的負(fù)半周，MOS管QI／Q3截止，QS／Q7導(dǎo)通，如圖5(a)所示。而在射頻激勵(lì)輸入信號(hào)的正半周，MOS管Q1／Q3導(dǎo)通，QS／Q7截止，如圖5(b)所示。Q2／Q4和Q6／Q8的開(kāi)關(guān)情況與此正好相反。跨在功率合成變壓器初級(jí)兩端的輸出信號(hào)就在半個(gè)周期里，在地(約為0V)和正電源間進(jìn)行一次切換，如圖5(c)所示。
2．3 射頻功放模塊在關(guān)斷時(shí)的射頻電流
由于DX一200型DAM發(fā)射機(jī)的射頻功放模塊數(shù)為224，在不同的功率等級(jí)下所接通的射頻功放模塊的數(shù)量不同，其輸出變壓器的次級(jí)為串聯(lián)輸出，這就決定了關(guān)斷的射頻功放模塊必須為在用的或者接通的功放模塊提供一條低阻抗導(dǎo)電通路。其工作原理電路如圖6所示。本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/157734.htm
因?yàn)樵谟玫墓Ψ拍K產(chǎn)生的射頻電流必須流過(guò)合成變壓器的次級(jí)，并在已關(guān)斷的射頻功放模塊的初級(jí)繞組上感應(yīng)出射頻電壓。根據(jù)楞次定律，變壓器次級(jí)電流所產(chǎn)生的磁通總是試圖抵消初級(jí)電流所產(chǎn)生的磁通，所以，流過(guò)關(guān)斷功放輸出變壓器次級(jí)的電流感應(yīng)到初級(jí)的電壓后，一定和原來(lái)的輸出電壓極性相反。在如圖6(a)所示，由次級(jí)電流感應(yīng)到初級(jí)的電壓為左正右負(fù)，說(shuō)明關(guān)斷的射頻功放在導(dǎo)通狀態(tài)下的變壓器初級(jí)電壓極性是左負(fù)右正，與此相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通管為Q2／Q4，截止管為01／Q3，從而形成的低阻抗通路為：與Ql／Q3相并聯(lián)的反向二極管→旁路電容C1、C3→旁路電容C2、C4→Q2／Q4→隔直電容C。同理，圖6(b)所形成的低阻抗通路為：與Q2／Q4相并聯(lián)的反向二極管→旁路電容C2、C4→旁路電容C1、C3→Q1／Q3。
評(píng)論