二、 Nand Flash與DRAM技術未來將如何發(fā)展?　　

 　　如今半導體技術飛速發(fā)展，作為存儲中堅的NAND Flash和DRAM技術未來將如何發(fā)展?NAND Flash發(fā)明者東芝半導體技術統(tǒng)括部存儲應用技術經(jīng)理康敏宣獨家披露了未來發(fā)展戰(zhàn)略。

　　首先他認為NAND Flash未來的應用領域將更加拓廣，“估計今年的NANDFlash總需求量會達到600億GB。”他指出，“除了在手機平板超極本領域應用外，汽車電子、服務器的應用也很大。”

　　他表示東芝的策略是不斷開發(fā)先進的工藝技術來提升產(chǎn)能，緩解供應壓力。如東芝是第一家推出19nm產(chǎn)品的公司，“未來，隨著工藝技術發(fā)展，東芝的發(fā)展方向是兩個，一個是大容量存儲，如19nm工藝產(chǎn)品，不過這個往下發(fā)展難度很大，所以，東芝會在明后年推出POST-NAND的產(chǎn)品，也就是3D NAND產(chǎn)品，接下來是POST-POST NAND。另個方向是東芝會投資發(fā)展磁阻內存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術， 它將替代現(xiàn)在的DRAM，磁阻內存和DRAM內存采用了完全不同的原理。DRAM內存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內容不丟。而磁阻內存的存儲原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個金屬導體的結構。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻就會發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。

　　他最看好的明星產(chǎn)品是自旋扭矩轉換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現(xiàn)在手機中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒有這個問題，而且它的讀寫速度非?？?，而且理論上它的讀寫刷新是無限的，所以我們非常看好這款產(chǎn)品，我們希望用MRAM代替現(xiàn)在的DRAM。”他指出。

　　另外他特別強調東芝的所有NAND Flash產(chǎn)品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠生產(chǎn)，以確保向市場提供可靠穩(wěn)定的產(chǎn)品。

　　三、 智能手機如何差異創(chuàng)新?　　

 

　　目前，智能手機市場火爆但智能機同質化日益嚴重，如何差異化創(chuàng)新?博通公司銷售總監(jiān)羅旭杰認為，創(chuàng)新就是要給用戶更好的用戶體驗，博通公司認為用戶體驗來自幾個方面，一是在WIFI方面如何更快更可靠更穩(wěn)定，二是如何共享流媒體，三是給用戶更快的手機上網(wǎng)體驗。“從2012到2017年，數(shù)據(jù)增長非?？?，有13倍之多，其中多數(shù)是視頻增長，未來在視頻方面大家會分享的更多，因此，5G WiFi技術會非常熱門。”他指出“5G頻段可以提供更高的性能，也可以連接更多的設備，覆蓋范圍也會增大。”，

　　另外他認為NFC技術也會激發(fā)更多創(chuàng)新應用，例如一些輕觸即用(Tap play)的技術，可以方便地把智能設備連接起來?！　?/p>

 

　　他認為4G LTE技術會很快應用，因此，博通利用高集成的優(yōu)勢推出針對4G的方案，例如BCM21982，它支持五模20個頻帶，不但集成了WIFI藍牙還集成了電源管理和射頻電路，此外體積還縮小了30%!