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新潔能擬募資14.5億元,提前布局SiC/GaN功率器件領域

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2021-11-14 來源:工程師 發(fā)布文章
11月11日,無錫新潔能股份有限公司(以下簡稱“新潔能”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股****預案公告,擬募集資金14.5億元,加碼第三代半導體功率器件。


據(jù)披露,新潔能此次募集資金在扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額全部用于投資第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產業(yè)化項目、功率驅動IC及智能功率模塊(IPM)的研發(fā)及產業(yè)化項目、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規(guī)級)的研發(fā)及產業(yè)化項目及補充流動資金。
當前,半導體分立器件產業(yè)正在發(fā)生深刻的變革,其中新材料成為產業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體受到行業(yè)關注,被廣泛應用于新能源車、軌道交通、5G****、航空航天等領域。
《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發(fā)展與投資價值白皮書》指出,2019年我國第三代半導體市場規(guī)模為94.15億元,預計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度,到2022年市場規(guī)模將達到623.42億元。
而另一方面,目前美歐、日韓及臺灣等地區(qū)已經(jīng)實現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。國內行業(yè)內企業(yè)亦依托國家產業(yè)政策的重點扶持,也已開始布局新型半導體材料領域。
新潔能表示,通過本募投項目的實施,有助于公司順應半導體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢,提前布局SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件產品,實現(xiàn)公司產品結構升級,從而進一步強化公司在半導體功率器件高端應用市場的核心競爭力,縮小與國際半導體功率器件一流企業(yè)的技術差距,從而提高國際競爭力。
來源:全球半導體觀察


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