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動向 | 瞄準臺積電!三星首秀3D 封裝技術(shù),可用于7納米制程

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2020-08-15 來源:工程師 發(fā)布文章
三星電子成功研發(fā)3D 晶圓封裝技術(shù)「X-Cube」,宣稱此種垂直堆疊的封裝方法,可用于7 納米制程,能提高晶圓代工能力,要借此和業(yè)界領(lǐng)袖臺積電一較高下。


三星官網(wǎng)13日新聞稿稱,三星3D IC封裝技術(shù)X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV),能讓速度和能效大躍進,以協(xié)助解決新一代應(yīng)用程式嚴苛的表現(xiàn)需求,如5G、人工智能(AI)、高性能運算、移動和可穿戴裝置等。
三星晶圓代工市場策略的資深副總Moonsoo Kang 說:「三星的新3D 整合技術(shù),確保TSV 在先進的極紫外光(EUV)制程節(jié)點時,也能穩(wěn)定聯(lián)通」。有了X-Cube,IC 設(shè)計師打造符合自身需求的客制化解決方案時,將有更多彈性。X-Cube 的測試芯片,以7 納米制程為基礎(chǔ),使用TSV 技術(shù)在邏輯晶粒(logic die)堆疊SRAM,可釋放更多空間、塞入更多存儲器。
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有了3D整合方案,晶粒間的訊號傳輸路徑將大為縮短,可加快數(shù)據(jù)傳送速度和能源效益。三星宣稱,X-Cube可用于7納米和5納米制程。
韓國時報13 日報導(dǎo),封裝是晶圓生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié),過去幾年來,三星強化封裝技術(shù),超薄封裝能縮短積體電路的訊號傳輸路徑,加快傳遞速度、提升能源效益。三星將在16~18 日的Hot Chips 峰會,公布更多X-Cube 的細節(jié)。


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