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技術(shù) | 存儲芯片又進一大步,國產(chǎn) LPDDR5 DRAM 或提前問世!

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2020-07-05 來源:工程師 發(fā)布文章

存儲器是用于移動設(shè)備、IoT、汽車和云數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中的任何電子系統(tǒng)的重要組件。DDR 已成為現(xiàn)實的存儲技術(shù),可用于多種類別,包括標(biāo)準(zhǔn) DDR 和低功耗 DDR (LPDDR)。最新的標(biāo)準(zhǔn) LPDDR5 和 DDR5 以更低的功耗提供更高的性能,成為未來存儲發(fā)展的趨勢。


一 長鑫推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)


合肥長鑫所在地的安徽省日前發(fā)布了《重點領(lǐng)域補短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》文件,該方案要求通過2-3年時間,重點突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),培育一批優(yōu)勢產(chǎn)品,做強一批優(yōu)勢企業(yè),不斷提高制造業(yè)自主可控水平,促進制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。



在內(nèi)存方面,文件要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā),要面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求,研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,依托DRAM  17nm及以下工藝,攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗電源(電壓)技術(shù)、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術(shù),完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。


安徽的這個文件可以說是該省內(nèi)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個大綱,希望2-3年內(nèi)解決一些關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,實際上合肥長鑫此前也公布過類似的技術(shù)路線圖,他們?nèi)ツ炅慨a(chǎn)的內(nèi)存還是第一代10nm級工藝10G1,相當(dāng)于19nm工藝的DDR4技術(shù),包括桌面級DDR4、LPDDR4等等。



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長鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內(nèi)存新品及工藝了,預(yù)計還會有10G3、10G5工藝,目前具體水平不確定,大概率會是1X、1Y、1Znm工藝的演進,相當(dāng)于16-19、14-16、12-14nm的水平,具體看長鑫的能力。


至于國產(chǎn)LPDDR5的問世時間,官方2-3年肯定是留出足夠空間的,實際完成的時間應(yīng)該會比這個短,類似長江存儲的國產(chǎn)閃存那樣,只要解決了第一代,后面的迭代升級會加快速度。


二 5G推動DDR5市場高速增長


據(jù)集邦咨詢預(yù)測,2020年,行動式內(nèi)存(Mobile DRAM )在智能手機中有15%左右的成長。TrendForce報告顯示三星、美光、SK海力士三家大廠2020年DRAM的出貨增長。(見下圖)以三星Galaxy S20 Ultra 5G為例,獨享了16GB的超大運存,最高支持1TB存儲卡,以及128GB、256GB和512GB三種機身存儲版本。



美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Christopher Moore 認(rèn)為,5G技術(shù)給移動終端帶來兩大優(yōu)勢:高速度和低延遲,美光是首個量產(chǎn)基于1Z納米制程的手機內(nèi)存企業(yè),目前出貨LPDDR5 內(nèi)存容量包括 6GB、8GB 和 12GB。


三 LPDDR5在移動通信的應(yīng)用


美光宣布全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM芯片開始交付,同時美光也宣布,首款搭載這款芯片的將是即將發(fā)布的小米10系列手機。這意味著未來一段時間內(nèi),部分旗艦手機將會采用來自美光的LPDDR5內(nèi)存。


現(xiàn)在美光科技已經(jīng)在主要手機制造商獲得了8GB和12GB LPDDR5的合格認(rèn)證,據(jù)悉,美光12GB LPDDR5應(yīng)用在摩托羅拉最新Edge +旗艦手機中。2020年上半年,美光還將通過基于 UFS 的多芯片封裝 (uMCP5) ,把 LPDDR5 內(nèi)存應(yīng)用于中高端智能手機。


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美光表示,LPDDR5內(nèi)存將會更好的實現(xiàn)智能手機的人工智能及5G功能,畢竟帶寬更足。從專業(yè)角度看,LPDDR5讀寫速度明顯高于LPDDR4,數(shù)據(jù)傳輸速率從4266Mbps提升至5500Mbps,傳輸帶寬從34GB/s提升到了44GB/s。同時,LPDDR5在功耗降低上也有突出表現(xiàn),據(jù)小米雷軍透露,經(jīng)過小米10的測試,與LPDDR4X相比,采用LPDDR5之后,用戶續(xù)航能力提升約10%;在玩《王者榮耀》的場景中,省電約20%;在微信語音和視頻場景中,省電約10%。



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隨著國內(nèi)5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋范圍加大,未來手機存儲的發(fā)展趨勢如下:第一、5G將推動12GB LPDDR5內(nèi)存和256GB UFS3.1 NAND存儲的發(fā)展,這個標(biāo)準(zhǔn)將成為未來最低的存儲需求。高速率,幾秒鐘內(nèi)即可下載完整的高清電影,實時上傳用戶創(chuàng)建的8K視頻并在社交媒體平臺上共享。所有這些都需要高速、大容量的內(nèi)存和存儲。第二、5G技術(shù)將會帶動顛覆性創(chuàng)新應(yīng)用。隨著社交網(wǎng)絡(luò)和抖音等視頻應(yīng)用的不斷發(fā)展,未來的移動終端可能需要1TB的UFS4.0超高速存儲, 24GB LPDDR5x內(nèi)存。

Trendforce的分析師對記者表示,2020年智能手機LPDDR5的份額在逐步成長中,今年LPDDR5占比將增加至11.9%。


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