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是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性
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西安安泰
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2025-04-21
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自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū),產(chǎn)能達(dá)9000片/月
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2024-08-21
技術(shù) | SiC襯底和外延材料對(duì)MOSFET器件特性的影響
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2024-03-09
詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算
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2023-11-17
盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)SiC碳化硅襯底公司
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2023-10-28
英飛凌確認(rèn):兩家中國(guó)SiC供應(yīng)商獲車規(guī)認(rèn)證并大規(guī)模出貨
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芯片大師哥
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2023-09-08
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
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2023-08-31
【資訊】全球SiC晶圓競(jìng)爭(zhēng),進(jìn)入白熱化
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2023-08-09
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
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2023-08-03
ROHM 1200V IGBT成功導(dǎo)入SEMIKRON-Danfoss功率模塊
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2023-05-09
國(guó)際領(lǐng)先!新一代SIC晶體生長(zhǎng)用材料
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先進(jìn)半導(dǎo)體
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2023-04-28
SiC MOSFET——降低功率損耗,邁向碳中和
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
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yingjian
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2023-04-25
買買買成就的SiC巨頭
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2023-03-16
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
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2023-02-28
政策持續(xù)推動(dòng)需求爆發(fā),SiC在充電樁市場(chǎng)大有可為 旺材芯片
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2023-02-17
SiC,將拿下30%的功率器件市場(chǎng)
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2023-02-17
光電耦合器和MOSFET之間的差異
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騰恩科技彭工
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2023-02-01
今年會(huì)是SiC半導(dǎo)體和功率模組元年嗎?
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2023-01-30
羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器
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2022-12-28
又一SiC相關(guān)企業(yè)上市,市值超270億!
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2022-12-18
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動(dòng)器的重要性
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2022-11-10
MOSFET選型10步法則
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2022-10-27
鴻海9月開始量產(chǎn)1200V SiC MOSFET,并已啟動(dòng)8吋SiC晶體開發(fā)
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2022-10-23
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
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MOSFET選型10步法則
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2022-10-16
SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
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SiC已成汽車新賣點(diǎn),未來(lái)5年價(jià)格有望降至IGBT 3倍以內(nèi)
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2022-07-04
半導(dǎo)體材料與工藝:SiC晶體生長(zhǎng)進(jìn)入「電阻爐」時(shí)代!
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2022-06-19
How SiC is Shifting the Future of EV
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2022-05-27
哈爾濱理工大學(xué)蔡蔚教授團(tuán)隊(duì)研究成果:SiC 功率模塊封裝技術(shù)及展望
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2022-05-18
MOSFET 安全工作區(qū)域 SOA是什么
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【干貨】技術(shù)角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隱蔽的碳化硅MOSFET柵極諧振問(wèn)題
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1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路
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重磅新品|清純半導(dǎo)體推出國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
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2022-04-13
SiC 市場(chǎng)高速增長(zhǎng)
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2022-04-11
一文搞懂SiC功率器件的市場(chǎng)、應(yīng)用和制造工藝
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2022-04-10
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