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vishay intertechnology 文章 最新資訊

Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字： Vishay  源極倒裝技術(shù)  PowerPAK  功率MOSFET  

Vishay推出超小型高集成度的可見光敏感度增強(qiáng)型高速PIN光電二極管

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月1日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款全新可見光敏感度增強(qiáng)型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704，擴(kuò)充光電二極管產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝，透明環(huán)氧樹脂感光度達(dá)業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，快速開關(guān)時(shí)間為70 ns，容值低至17.6 pF，適于可穿戴
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Vishay推出新款全集成超小型接近傳感器，待機(jī)電流低至5 μA

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年1月25日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其光電子產(chǎn)品部推出全集成新型接近傳感器---VCNL36828P，提高消費(fèi)類電子應(yīng)用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面貼裝封裝中集成光電二極管、專用集成電路（ASIC）、16位 ADC和智
  • 關(guān)鍵字： Vishay  接近傳感器  

Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V，采用集電極開路輸出，適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統(tǒng)。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測(cè)器邏輯門結(jié)合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
  • 關(guān)鍵字： Vishay  低功耗光耦  

Vishay推出的新款10MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V，采用集電極開路輸出，適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統(tǒng)。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測(cè)器邏輯門結(jié)合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執(zhí)行器榮獲AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執(zhí)行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)（World Electronics Achievement Award）“年度高性能被動(dòng)電子/分立器件獎(jiǎng)”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開關(guān)面板等各種12 V車載應(yīng)用。器件采用小型兩件式結(jié)構(gòu)，帶安裝孔，便于安裝和直接操作，具有高沖擊脈沖和振動(dòng)傳遞能力，可在嘈雜的環(huán)境下提供清晰的觸覺反饋。由電子技術(shù)領(lǐng)域
  • 關(guān)鍵字： Vishay  觸控反饋執(zhí)行器  

Vishay推出SuperTan鉭殼液鉭電容器,抗沖擊和耐振動(dòng)能力達(dá)到高可靠性應(yīng)用H級(jí)標(biāo)準(zhǔn)

美國芯片公司Vishay將收購安世半導(dǎo)體紐波特晶圓廠

  • 11月8日，美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，Vishay將以1.77億美元現(xiàn)金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關(guān)業(yè)務(wù)。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查，并符合第三方購買權(quán)和慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導(dǎo)體晶圓廠，經(jīng)過汽車認(rèn)證，主要供應(yīng)汽車市場(chǎng)。占地28英畝，是英國規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造廠。Vishay總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示
  • 關(guān)鍵字： Vishay  安世半導(dǎo)體  晶圓廠  

貿(mào)澤聯(lián)手Vishay推出全新電子書探討支持新一代工業(yè)4.0的技術(shù)

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯(lián)手推出全新電子書《The Next Generation of Industry 4.0》（新一代工業(yè)4.0），分析了支持新一代工業(yè)4.0解決方案的技術(shù)和元件。書中，Vishay和貿(mào)澤深入探討了為全球工廠帶來變革的自動(dòng)化浪潮，以及這種浪潮背后起到支持作用的關(guān)鍵解決方案。本電子書收錄了四篇詳細(xì)的專題文章，介紹了支持新一代工業(yè)應(yīng)用的數(shù)字元件，此外還包含一張展望未來工業(yè)5.0的實(shí)用信息圖。
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使用鉭電容器的引爆系統(tǒng)與傳統(tǒng)雷管對(duì)比有何優(yōu)勢(shì)？

  • 與任何電子設(shè)備一樣，引爆系統(tǒng)需要內(nèi)部電源為系統(tǒng)控制器 (MCU) 供電并為點(diǎn)火電容充電。為了確保正確定時(shí)、可靠引爆，需要使用電容器作引爆元件的儲(chǔ)能器件。與其他電容技術(shù)相比，模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲(chǔ)存電荷（低漏電流)，能量密度高，是電子引爆系統(tǒng)的理想選擇，可留出更多時(shí)間，釋放更大電壓確保正確起爆。對(duì)于開發(fā)和制造電子引爆系統(tǒng)以滿足采礦應(yīng)用需求的公司，本文將為大家介紹鉭電容器技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代引爆系統(tǒng)來說，模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)。首先，與鋁電解電容器不同，它們具有這些小型系統(tǒng)所
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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)

  • 本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時(shí)，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。寬帶隙半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵 (G
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Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的小型6A、20A和25A降壓穩(wěn)壓器模塊,提高POL轉(zhuǎn)換器功率密度

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK? 同步降壓穩(wěn)壓器---SiC967、SiC931和SiC951，用來提高負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封裝，占位面積和高度均小于市場(chǎng)上此類器件，輸入電壓范圍4.5 V至60 V。日前發(fā)布的穩(wěn)壓器模塊比其他解決方案小69%，每款模塊集成兩個(gè)高性
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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Vishay推出具有調(diào)制載波輸出功能,適用于代碼學(xué)習(xí)應(yīng)用的微型紅外傳感器模塊

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款適用于遙控系統(tǒng)的新系列微型紅外（IR）傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調(diào)制載波輸出功能，適用于代碼學(xué)習(xí)應(yīng)用，供電電壓范圍2.0 V至5.5 V，3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前發(fā)布的器件配置內(nèi)部設(shè)計(jì)的新型IC，旨在確保長期供貨并縮短交貨期，
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貿(mào)澤提供品類豐富的Vishay汽車級(jí)產(chǎn)品

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對(duì)汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。Vishay制定了自己的汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標(biāo)準(zhǔn)納入了汽車行業(yè)的關(guān)鍵質(zhì)量管理措施和健全的設(shè)計(jì)政策，在開發(fā)新品和改良現(xiàn)有產(chǎn)品時(shí)采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。Vishay汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的要求涵蓋了設(shè)計(jì)、認(rèn)證和制造，同時(shí)也用于持續(xù)改善公司的產(chǎn)品和工藝。只有滿足這些要求的元件，才能在數(shù)據(jù)手冊(cè)中使用汽車級(jí)認(rèn)證標(biāo)志。
  • 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤  Vishay  汽車級(jí)產(chǎn)品  
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