super junction mosfet 文章最新資訊

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
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安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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NVIDIA預(yù)告新旗艦顯卡：專(zhuān)為《賽博朋克2077》定制

僅僅是靠“PPT”,《賽博朋克2077(Cyberpunk 2077)》就沖入了Steam去年的暢銷(xiāo)游戲榜,相信今年9月17日發(fā)售后,游戲的熱度將會(huì)空前高漲。上周末,NVIDIA GeForce和Cyberpunk 2077官方賬號(hào)在社交平臺(tái)互動(dòng),內(nèi)容是關(guān)于打造一款賽博朋克限量版顯卡。NV隨后公布了一張模糊的顯卡圖,長(zhǎng)度至少是RTX 2080 Super級(jí)別,同樣配備雙渦輪風(fēng)扇。外界猜測(cè),會(huì)不會(huì)可能是RTX 2080 Ti Super或者7nm Ampere(安培)?上方為限量卡,下方為RTX 2080
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Super AMOLED是什么？

Super AMOLED超炫屏，全稱(chēng)：Super Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，由三星推出，相比傳統(tǒng)AMOLED炫屏而言，摒棄了之前觸控感應(yīng)層+顯示層的架構(gòu)設(shè)計(jì)，操控更為靈敏。此外還帶來(lái)了更佳的陽(yáng)光下顯示效果。
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Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開(kāi)關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平。
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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RX 5700 XT庫(kù)存告急：RTX 2070將重新鋪貨上市

上月有消息稱(chēng)，RTX 2070顯卡恢復(fù)生產(chǎn)，考慮到RTX 2060 Super與RTX 2070性能接近，老黃的操作有些讓人看不懂。不過(guò)，Gamers Nexus的報(bào)道坐實(shí)了傳言。非公廠商爆料稱(chēng)，他們正積極從NVIDIA下單芯片，以補(bǔ)充RTX 2070庫(kù)存。之所以出現(xiàn)上述情況，據(jù)說(shuō)是競(jìng)品AMD RX 5700系列尤其是RX 5700 XT備貨不足導(dǎo)致的，究其根本，就要怪罪到臺(tái)積電的頭上，當(dāng)下7nm的需求是在是太火爆了。當(dāng)然，對(duì)于NV和AIC來(lái)說(shuō)，如何重新對(duì)RTX 2070定價(jià)也值得關(guān)注。RTX 2060的
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功率MOSFET的參數(shù)那么多，實(shí)際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對(duì)性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
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減慢開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)要謹(jǐn)慎

開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開(kāi)關(guān)瞬變是有利的，因?yàn)檫@顯著降低了開(kāi)關(guān)模式電源中的開(kāi)關(guān)損耗。尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換也會(huì)帶來(lái)一些負(fù)面影響。開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì)急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開(kāi)關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體開(kāi)辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴出席論
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Diodes公司推出微型車(chē)用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車(chē)用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車(chē)應(yīng)用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標(biāo)
關(guān)鍵字： MOSFET 汽車(chē)