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si mosfet 文章 最新資訊

Diodes 推出全新OR'ing 控制器

  • 　　Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。 　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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飛兆半導體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員提供一系列能夠提升汽車應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
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電源管理半導體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭

  • 盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國電源管理半導體市場在經(jīng)歷了多年的快速增長之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國家政策刺激拉動整機設(shè)備制造保持增長，今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長，預計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  節(jié)能  IGBT  MOSFET  數(shù)字電源  穩(wěn)壓器  200903  

高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導體、科學和工業(yè)應用中的測量

  • 許多電子設(shè)計應用要求的激勵源幅度超出了當前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導體應用，如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器，以及科學和工業(yè)應用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應用，說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字： 泰克  MOSFET  IGBT  200903  

選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性

  • 電動工具由于其設(shè)計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

  •         產(chǎn)品特性： 耐壓650V STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A） 采用了改進Super Junction結(jié)構(gòu)         應用范圍： 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
  • 關(guān)鍵字： 意法  MOSFET  IGBT  

用LXI構(gòu)建合成儀器(05-100)

  • 　　合成儀器(SI)由模塊化組件構(gòu)建并啟用高速處理器和近代總線技術(shù),有望給測試用戶帶來更多的功能與靈活性,較低廉的總成本、更高速操作、更小的物理占用面積以及較長的使用壽命。然而,生產(chǎn)廠家和用戶共同面臨的一個問題是缺乏統(tǒng)一的,能滿足體系結(jié)構(gòu)和商品化要求的設(shè)計標準。PXI和VXI模塊儀器是這類應用的最佳候選,但對SI設(shè)計人員亦有諸多限制,最終形成具有專用接口與控制模塊包裝的混合系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 測試測量  SI  LXI  

解決串行接口中的信號完整性問題(05-100)

  • 　　一直以來,信號完整性都是模擬工程師考慮的問題,但是隨著串行數(shù)據(jù)鏈接的傳輸速率向GHz級發(fā)展,數(shù)字硬件設(shè)計人員現(xiàn)在也必須關(guān)注這個重要的問題。
  • 關(guān)鍵字： Tundra  SI  串行  

意法半導體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MDmeshV  MOSFET  RDS  

關(guān)于DSP應用電源系統(tǒng)的低功耗設(shè)計研究

  • 自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來，DSP技術(shù)得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設(shè)計是DSP應用系統(tǒng)設(shè)計的一...
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安森美半導體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護及外部附件過流保護器件

  • ??????? NCP370保護便攜設(shè)備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護便攜設(shè)備附件，不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機、MP3/4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
  • 關(guān)鍵字： 安森美  OVP  OCP  MOSFET  

業(yè)內(nèi)最低導通電阻MOSFET

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。 　　現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
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Diodes自保護式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

  • 　　Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 　　雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 　 　　ZXMS
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  ZXMS6004FF  

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于漏極導通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細闡述了其開關(guān)過程。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  漏極  導通  開關(guān)過程    
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