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外接存儲卡引安全疑慮 業(yè)者推動去Micro SD化
- 蘋果(Apple)在內(nèi)等智能型手機廠在2年前開始在手機采內(nèi)建存儲器設(shè)計后,正式舍棄Micro SD卡擴充設(shè)計,隨后其他手機廠商也紛紛跟進(jìn),造成目前仍支持Micro SD卡擴展的手機寥寥無幾。 媒體分析認(rèn)為,造成Micro SD卡逐漸在手機失寵原因除了安全性外,某種程度來說,去Micro SD卡后讓具備更大存儲器需求之用戶必須改采購價格更高的手機,自然可為廠商貢獻(xiàn)更多收益。 除了蘋果不再支持Micro SD卡之外,Google在去Micro SD卡的努力也早有脈絡(luò)可循。當(dāng)年Google所推出
- 關(guān)鍵字: 存儲卡 Micro SD
基于FPGA的3G/HD/SD-SDI信號光纖傳輸系統(tǒng)的設(shè)計

- 介紹了基于FPGA和高速串行復(fù)接/解復(fù)接技術(shù),將3G/HD/SD-SDI信號通過光纖實現(xiàn)無損長距離傳輸?shù)姆椒?。與傳統(tǒng)的傳輸方案相比,此方案可以完成傳輸高清視頻的平滑升級,并向下兼容現(xiàn)有的視頻傳輸網(wǎng)絡(luò),降低了網(wǎng)絡(luò)的改造升級成本。
- 關(guān)鍵字: 3G/HD/SD-SDI 光纖傳輸 自動均衡 時鐘恢復(fù) 201509
Littelfuse推出新型SD和SD-C系列瞬態(tài)抑制二極管

- Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布推出其瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)的最新成員:SD和SD-C系列450W分散式單向和雙向瞬態(tài)抑制二極管。 此類快熔型瞬態(tài)抑制二極管設(shè)計用于保護(hù)破壞性靜電放電(ESD)和雷擊引致的浪涌電流,是替代低速和直流應(yīng)用中多層壓敏電阻(MLV)的理想選擇,因為其可在±30kV的條件下安全吸收反復(fù)性ESD震擊而不會對性能造成不利影響,并可安全地耗散高達(dá)30A的浪涌電流。 其低動態(tài)電阻提供比其它競爭技術(shù)低50%的箝位電壓,因此非常適用于保護(hù)按鈕、開
- 關(guān)鍵字: Littelfuse SPA二極管 SD
東芝推出支持下一代內(nèi)容安全技術(shù)SeeQVault?的橋接芯片

- ?????????支持符合SeeQVault?標(biāo)準(zhǔn)的USB存儲設(shè)備 東京—東芝公司日前宣布推出支持下一代安全規(guī)范SeeQVault?的橋接芯片“TC358782XBG”。SeeQVault?支持將防拷貝高清內(nèi)容傳輸至便攜式存儲設(shè)備。樣品將從4月開始提供,批量生產(chǎn)定于8月開始?! ∈鼙Wo(hù)的高清內(nèi)容無法傳輸至外部存儲器;用戶需要在錄制它的設(shè)備上播放內(nèi)容或者將其轉(zhuǎn)換為標(biāo)清畫質(zhì)。SeeQVault?為兼容設(shè)備提供了一種解決
- 關(guān)鍵字: 東芝 USB SeeQVault,SD
安森美配合智能電網(wǎng)及智能家庭趨勢的工業(yè)通信及安全保護(hù)方案

- 如今,全球能源需求不斷增加,加速消耗現(xiàn)有資源,促使各國政府制定更積極的節(jié)能目標(biāo)和更嚴(yán)格的高能效標(biāo)準(zhǔn),由此產(chǎn)生一系列的積極影響。如傳統(tǒng)低能效的白熾燈照明正加速向LED照明過渡,傳統(tǒng)電網(wǎng)向的智能電網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)過渡,傳統(tǒng)汽車向電動汽車/混合動力汽車過渡,以及高能效電源和電機驅(qū)動越來越受重視。
- 關(guān)鍵字: 安森美 智能電網(wǎng) WAN 智能電表 PLC
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