rgb-ir 文章 最新資訊
抑制SSN的新型內(nèi)插L-EBG結(jié)構(gòu)
- 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型結(jié)構(gòu)，對于同步開關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們設(shè)計(jì)的這款新型EBG結(jié)構(gòu)，是在周期性L-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗(yàn)證，此結(jié)構(gòu)具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結(jié)構(gòu)所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運(yùn)用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結(jié)構(gòu)上下變頻。另外，通過3-D
- 關(guān)鍵字： EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
日本開發(fā)兩種RGB激光光源：世界最亮和世界最小
- 作為NEDO項(xiàng)目的一部分，日本大阪大學(xué)和島津公司開發(fā)了兩種新型RGB激光光源模塊，主要使用了RGB可見光激光二極管技術(shù)。其中一種激光模塊具有世界最高的亮度，可用于高亮度激光顯示設(shè)備和激光照明。另一種激光模塊具有世界最小體積，可用于掃描型激光顯示單模光纖輸出。 正是基于這樣的研究結(jié)果，將激光光源模塊集成到設(shè)備中，可以帶來極大性能提升。相對于其他光源如LEDs，激光光源具有小型化、節(jié)能和高飽和度等優(yōu)點(diǎn)。 由于激光光源具有以上特性，我們希望將其應(yīng)用范圍延伸至小型電子設(shè)備，如智能手機(jī)和平板設(shè)備，或
- 關(guān)鍵字： 激光光源 RGB
帶有LIN自動尋址的RGB氛圍燈解決方案－E521.31
- 德國elmos公司日前宣布推出一款高度集成的單芯片方案E521.31,該芯片主要應(yīng)用于汽車RGB氛圍燈。E521.31芯片帶有LIN總線自動尋址功能，專門為車內(nèi)RGB-LED氛圍燈量身打造，外部電路設(shè)計(jì)靈活并且極為精簡。 該芯片在多路復(fù)用模式下可驅(qū)動多達(dá)6路甚至更多路RGB的LED燈,實(shí)現(xiàn)了單一芯片對整體進(jìn)行動態(tài)調(diào)光，同時產(chǎn)品的性價比又做到最佳。除了用在RGB氛圍燈應(yīng)用領(lǐng)域，這個方案還可用于汽車內(nèi)飾及其外飾的信息娛樂應(yīng)用中。如，儀表盤指示，電池狀態(tài)信息以及車載電子信息
- 關(guān)鍵字： elmos RGB-LED
OLED彩色化技術(shù)及優(yōu)缺點(diǎn)概述
- 一、OLED的優(yōu)點(diǎn) 1、厚度可以小于1毫米，僅為LCD屏幕的1/3，并且重量也更輕; 2、固態(tài)機(jī)構(gòu)，沒有液體物質(zhì)，因此抗震性能更好，不怕摔; 3、幾乎沒有可視角度的問題，即使在很大的視角下觀看，畫面仍然不失真; 4、響應(yīng)時間是LCD的千分之一，顯示運(yùn)動畫面絕對不會有拖影的現(xiàn)象; 5、低溫特性好，在零下40度時仍能正常顯示，而LCD則無法做到; 6、制造工藝簡單，成本更低; 7、發(fā)光效率更高，能耗比LCD要低; 8、能夠在不同材質(zhì)的基板上制造，可以做成能彎
- 關(guān)鍵字： OLED RGB
IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。 全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET IRL6297SD
D類放大器市場突飛猛進(jìn) 廠商新品頻出
- D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運(yùn)行，讓設(shè)計(jì)者能夠利用小型散熱器或者無需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設(shè)備以及移動設(shè)備的首選拓?fù)?，能夠幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。 現(xiàn)在，高集成度D類放大器件，包括單個封裝內(nèi)的整個放大器模塊的出現(xiàn)讓企業(yè)能夠更快地將價格極具競爭力的新產(chǎn)品推向市場，并且其音頻性能達(dá)到或者超過了傳統(tǒng)的模擬放大器。因此，D類音頻放大器近十年來市場突飛猛進(jìn)，年復(fù)合增長率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于應(yīng)用特殊型音頻器件。 D
- 關(guān)鍵字： IR D類放大器
IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機(jī)控制和車身控制等?！ ∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進(jìn)行焊接，從而
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET
IR智慧型功率模組簡化家電馬達(dá)驅(qū)動器設(shè)計(jì)
- 國際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統(tǒng)級封裝(System-In-Package,SIP)節(jié)能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列，有效縮小及簡化空調(diào)、風(fēng)扇、壓縮機(jī)和洗衣機(jī)等家電馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用的設(shè)計(jì)。 IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基準(zhǔn)并非易事，全新IRAMGen2平臺能夠利用下一代IRAM系統(tǒng)級封裝智慧型功率模組的先進(jìn)技術(shù)，通過改善熱效能及減少電磁雜訊，以滿足市場對更高效家電應(yīng)用馬達(dá)驅(qū)動器與日俱增的需求
- 關(guān)鍵字： IR 驅(qū)動器設(shè)計(jì)
基于機(jī)器視覺的玉米穗行數(shù)自動檢測算法設(shè)計(jì)
- 該算法主要用于玉米室內(nèi)考種時穗行數(shù)的自動檢測。執(zhí)行時，首先獲取玉米穗橫斷面圖像，然后提取出玉米穗的邊緣；接著用質(zhì)心法提取圓心，計(jì)算邊緣到圓心的距離和角度，在0～2pi上畫出一周的角度-半徑曲線圖；最后對角度-半徑曲線圖進(jìn)行最小值濾波器濾波，并統(tǒng)計(jì)極小值的個數(shù)即是玉米穗的行數(shù)。本算法實(shí)施成本低，測量玉米穗行數(shù)快速、準(zhǔn)確、穩(wěn)定，為機(jī)器視覺在玉米考種系統(tǒng)下的應(yīng)用提供了有效參考。
- 關(guān)鍵字： 玉米 自動檢測 RGB HSV 濾波 201406
IR擴(kuò)充StrongIRFET系列
- 國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動器、鋰離子電池組保護(hù)及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?！ ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
- 關(guān)鍵字： IR StrongIRFET MOSFET
IR全新D類音頻芯片組優(yōu)化音頻放大器性能
- ??? 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?-?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)推出全新D類音頻芯片組，內(nèi)含IRS20965數(shù)字音頻驅(qū)動器IC，可提供受保護(hù)的脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?開關(guān)和完整的音頻MOSFET?，旨在為高性能D類音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化。 IRS20965具有高側(cè)和低側(cè)獨(dú)立浮動脈沖寬度調(diào)制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調(diào)制控制器進(jìn)行死區(qū)時間控制。新I
- 關(guān)鍵字： IR PWM IRS20965 音頻
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