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rf-soi 文章 最新資訊

如何實(shí)現(xiàn)軟件定義無線電動態(tài)范圍的最大化

  • 本文回顧了軟件定義無線電發(fā)展，介紹了擴(kuò)大軟件定義無線電的動態(tài)范圍的電路元件、計(jì)算和仿真工具，并重點(diǎn)關(guān)注ADC的性能和頻率規(guī)劃。
  • 關(guān)鍵字： 軟件定義無線電(SDR)  動態(tài)范圍  信號  RF  201509  

Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  物聯(lián)網(wǎng)  

越快越好：GSPS ADC實(shí)現(xiàn)寬帶寬RF數(shù)字化儀

  • 本文討論即將來臨的3.3V控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)器在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用，敬請關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： ADC  GSPS  RF  數(shù)字化儀  201508  

中國石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

  • 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展：設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系，利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實(shí)現(xiàn)了對石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實(shí)現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。 　
  • 關(guān)鍵字： 石墨烯  SOI  

哪些半導(dǎo)體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
  • 關(guān)鍵字： FD- SOI  FinFET  

Wi-Fi系統(tǒng)效能大躍進(jìn)的秘密-802.11ac Wave 2

  • 多輸入多輸出，更高的效率Wi-Fi系統(tǒng)的效能與容量將邁入新境界。
  • 關(guān)鍵字： Wi-Fi  RF  

格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。 　　雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
  • 關(guān)鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
  • 關(guān)鍵字： GlobalFoundries  FD-SOI  

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
  • 關(guān)鍵字： FinFET  FD-SOI  

手機(jī)增加一個NFC功能會對價(jià)格影響多少

  • 手機(jī)終端增加移動支付芯片不只是簡單的芯片硬件成本，還有更多其他配套成本，但是增加一個功能可以帶來差異化，差異化可以給手機(jī)帶來的溢價(jià)。
  • 關(guān)鍵字： NFC  RF  

FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？

  • 　　身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機(jī)事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 　　我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù)，我在最近這幾個星期所收集到的隨機(jī)
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  FD-SOI  

手機(jī)RF和混合信號集成設(shè)計(jì)

  • 　　一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對包含多標(biāo)準(zhǔn)(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉(zhuǎn)換接收器和發(fā)射器架構(gòu)變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術(shù)取得長足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。 　　一個典型的蜂窩收發(fā)器(見圖)包括RF前端、混合信號部分和實(shí)際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構(gòu)選擇包括直接轉(zhuǎn)換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉(zhuǎn)換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
  • 關(guān)鍵字： RF  混合信號  

RF和混合信號設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué)

  • 　　在過去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設(shè)計(jì)一直是半導(dǎo)體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰(zhàn)的設(shè)計(jì)之一。在這期間，盡管半導(dǎo)體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運(yùn)算的數(shù)字世界實(shí)現(xiàn)無縫對接，當(dāng)前無處不在的移動環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。 　　當(dāng)今全球半導(dǎo)體的市場份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲器IC約占這個市場的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅(qū)動著這些IC
  • 關(guān)鍵字： RF  混合信號  

實(shí)現(xiàn)模擬/RF設(shè)計(jì)復(fù)用？ADI實(shí)驗(yàn)室電路開始大顯身手

  • 　　在電子設(shè)計(jì)中，模擬/RF設(shè)計(jì)一直是最讓設(shè)計(jì)師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計(jì)，但 是，要讓器件運(yùn)轉(zhuǎn)正常，設(shè)計(jì)師需要更多實(shí)際電路的評估和測試，這方面需要時間和經(jīng)驗(yàn)的積累，也是非常耗費(fèi)精力財(cái)力的，有沒有什么辦法讓設(shè)計(jì)師可以加快這方 面的設(shè)計(jì)呢?或者能實(shí)現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實(shí)驗(yàn)室電路給出了一些探索。 　　“ADI的實(shí)驗(yàn)室電路不同于參考設(shè)計(jì)，是更接近實(shí)際應(yīng)用的 電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時表示，
  • 關(guān)鍵字： ADI  RF  

RF電路與天線的EMC研究

  • 　　當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計(jì)完成之后，其性能不一定就會完全達(dá)標(biāo)，其中會導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因?yàn)樯漕l范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因?yàn)槠渌椒矫婷娴脑?。大多?shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。 　　處理干擾問題是做設(shè)計(jì)工作必須的、更是射頻設(shè)計(jì)、預(yù)研工作重點(diǎn)之一。在此簡單談?wù)勎覀儗ι漕l方面電磁干擾的理解與認(rèn)識。 　　電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
  • 關(guān)鍵字： RF  EMC  
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