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三星28納米工藝技術(shù)為客戶新增RF功能
- 作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè),三星電子今日宣布為其28納米工藝技術(shù)新增射頻(RF)功能。隨著物聯(lián)網(wǎng)快速成為現(xiàn)實,三星晶圓代工事業(yè)部開始助力芯片設(shè)計人員在設(shè)計中集成高級RF功能,使互聯(lián)家用電器、車載信息娛樂系統(tǒng)和供暖/制冷系統(tǒng)等連接應(yīng)用成為可能?! 艾F(xiàn)在市場上只有少數(shù)晶圓代工廠能夠提供先進(jìn)制程工藝,而能在芯片設(shè)計中集成RF功能的選擇則更為有限?!叭蔷A代工事業(yè)部市場營銷副總裁韓承勛指出,”隨著我們進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時代,智能連接設(shè)備也將更加普及,更小和節(jié)能型的RF設(shè)計對SoC解決方案來說至關(guān)重要。為
- 關(guān)鍵字: 三星 28nm RF 物聯(lián)網(wǎng) 晶圓
RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎
- 全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布,榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā),推出獨特的無線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據(jù)其對于無線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場的最新分析結(jié)果,認(rèn)為RFaxis的創(chuàng)新解決方案實現(xiàn)了卓越性能、功能與經(jīng)濟(jì)性的完美結(jié)合,已經(jīng)得到證明是傳統(tǒng)GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項。 傳統(tǒng)上,F(xiàn)R
- 關(guān)鍵字: RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個射頻功率產(chǎn)品
- 射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市,這個產(chǎn)品可滿足美國國防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求,這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計劃發(fā)布的首套產(chǎn)品。 飛思卡爾現(xiàn)在為美國國防系統(tǒng)客戶提供與其他市場相當(dāng)?shù)闹С炙?,使客戶可以?yōu)化這些射頻器件的性能,適合雷達(dá)、軍用通信和電子戰(zhàn)的應(yīng)用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長期供貨計劃中,根據(jù)不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應(yīng)。?此外,飛思卡爾射頻國防市場專家組成的專門團(tuán)隊擁有符合I
- 關(guān)鍵字: 飛思卡爾 LDMOS RF 國防
低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)設(shè)計與模擬
- 近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實 ...
- 關(guān)鍵字: 低壓驅(qū)動 RF MEMS 開關(guān)設(shè)計 模擬
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