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rf-cmos 文章 最新資訊

提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

  • 摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
  • 關(guān)鍵字： CMOS  共源共柵  功率放大器  方案    

GPS與WAN通訊相結(jié)合的RF解決方案

  • 研華TREK產(chǎn)品采用輔助GPS（A-GPS）、航位推算、藍(lán)牙和WWAN協(xié)議（GPRS/GSM或CDMA/HSDPA），能夠保證設(shè)備在高樓、山區(qū)、峽谷、隧道和地下停車(chē)場(chǎng)等區(qū)域正常工作，提升車(chē)隊(duì)管理效率和競(jìng)爭(zhēng)力。TREK系列產(chǎn)品采用寬溫工作范
  • 關(guān)鍵字： RF  解決方案  結(jié)合  通訊  WAN  GPS  

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

  • 摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
  • 關(guān)鍵字： CMOS  VTH  電壓基準(zhǔn)    

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

  • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

  • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字： 艾克賽利  CMOS  

高速通信的混頻器和調(diào)制器設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 高速通信  混頻器  調(diào)制器  混頻  RF  

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
  • 關(guān)鍵字： 4GHz  CMOS  35  集成    

鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開(kāi)關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈?！　∷矂?dòng)開(kāi)關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
  • 關(guān)鍵字： 研究  電路  CMOS  繼電器  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  LDO  成型  CMOS  全集  

一種12位50 MS／s CMOS流水線A／D轉(zhuǎn)換器

  • 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
  • 關(guān)鍵字： 流水線  轉(zhuǎn)換器  CMOS  MS  12位  一種  

利用頻譜分析來(lái)限制RF功率和寄生噪聲輻射

  • 射頻功率的頻域測(cè)量是利用頻譜和矢量信號(hào)分析儀所進(jìn)行的最基本的測(cè)量。這類(lèi)系統(tǒng)必須符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率傳輸和寄生噪聲輻射的限制，還要配有合適的測(cè)量技術(shù)來(lái)避免誤差。　　像頻率范圍、中心頻率、分辨帶寬(RBW)和測(cè)量
  • 關(guān)鍵字： 寄生  噪聲  輻射  功率  RF  頻譜  分析  限制  利用  

基于RF和因特網(wǎng)的機(jī)場(chǎng)集成行李處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于RF和因特網(wǎng)的機(jī)場(chǎng)集成行李處理系統(tǒng)

  • 引言　　在機(jī)場(chǎng)集成行李處理中，行李分揀、定位、跟蹤、監(jiān)控在整個(gè)機(jī)場(chǎng)集成行李管理鏈中起著至關(guān)重要的作用，如果不能保證正確的分揀和定位控制及跟蹤，將會(huì)直接導(dǎo)致管理費(fèi)用的增加，服務(wù)質(zhì)量難以得到保證，從而影響
  • 關(guān)鍵字： 行李  處理  理系  集成  機(jī)場(chǎng)  RF  因特網(wǎng)  基于  

TI 推出低成本無(wú)線射頻Value Line 系列產(chǎn)品

  • 日前，德州儀器宣布推出新款 1 GHz 以下無(wú)線射頻（RF） Value Line 系列產(chǎn)品，為開(kāi)發(fā)人員提供適用于遙控器、玩具、家庭、樓宇自動(dòng)化及安全系統(tǒng)等 1 GHz以下RF應(yīng)用的低成本聯(lián)機(jī)解決方案。1 GHz 以下 RF Value Line 系列產(chǎn)品包括CC115L 發(fā)送器、CC113L 接收器及 CC110L 收發(fā)器，即日起上市供應(yīng)。若大量采購(gòu)，其完整雙芯片單向 RF 鏈接成本不到 1 美元。新款產(chǎn)品采用 TI 的 1 GHz 以下 CC1101 RF 技術(shù)，而且引腳、注冊(cè)表及程序代碼完全兼容，并
  • 關(guān)鍵字： TI  RF Value Line   
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rf-cmos介紹

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