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CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)

- 隨著智能手機(jī)的興起,對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視,近年來(lái)廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM),電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作,這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路,實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件,以及制造微型化元件,非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹,并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能,低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻,可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法,可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng),比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?,脈沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出,在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過(guò)
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實(shí)現(xiàn)模擬/RF設(shè)計(jì)復(fù)用?ADI實(shí)驗(yàn)室電路開始大顯身手

- 在電子設(shè)計(jì)中,模擬/RF設(shè)計(jì)一直是最讓設(shè)計(jì)師頭疼的部分,傳統(tǒng)上,模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計(jì),但 是,要讓器件運(yùn)轉(zhuǎn)正常,設(shè)計(jì)師需要更多實(shí)際電路的評(píng)估和測(cè)試,這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗(yàn)的積累,也是非常耗費(fèi)精力財(cái)力的,有沒有什么辦法讓設(shè)計(jì)師可以加快這方 面的設(shè)計(jì)呢?或者能實(shí)現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實(shí)驗(yàn)室電路給出了一些探索。 “ADI的實(shí)驗(yàn)室電路不同于參考設(shè)計(jì),是更接近實(shí)際應(yīng)用的 電路?!盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時(shí)表示,
- 關(guān)鍵字: ADI RF
如何挑選一個(gè)高速ADC

- 高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí),還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間,評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上,而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。 還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果,而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無(wú)線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無(wú)線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
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10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日,在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下,北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比,該器件速度是其5倍,而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。 下一步,該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝,建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái),并基于該平臺(tái)開發(fā)碳納米管CPU,最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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RF電路與天線的EMC研究
- 當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計(jì)完成之后,其性能不一定就會(huì)完全達(dá)標(biāo),其中會(huì)導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個(gè)重要因素有可能就是電磁干擾,而電磁干擾并不一定是因?yàn)樯漕l范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成,亦可能是因?yàn)槠渌椒矫婷娴脑颉4蠖鄶?shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路,如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。 處理干擾問題是做設(shè)計(jì)工作必須的、更是射頻設(shè)計(jì)、預(yù)研工作重點(diǎn)之一。在此簡(jiǎn)單談?wù)勎覀儗?duì)射頻方面電磁干擾的理解與認(rèn)識(shí)。 電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無(wú)處不在,在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
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AT89S52的機(jī)載電氣盒測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

- 1 引言 AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造,與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程,亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上,AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash,使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能: 8k字節(jié)Flash,256字節(jié)RAM,32
- 關(guān)鍵字: AT89S52 CMOS
基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全
- AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器,俗稱單片機(jī)。本文為您介紹基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全,僅供參考。 基于AT89C51的操控鍵盤的設(shè)計(jì) 本文以PC機(jī)通用鍵盤為例,闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。 采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能,而且要求根據(jù)儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設(shè)計(jì),使產(chǎn)品
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千兆采樣ADC確保直接RF變頻

- 隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計(jì)與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過(guò)程節(jié)點(diǎn),一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達(dá)應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來(lái)了全新的系統(tǒng)解決方案。 最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前,唯一可運(yùn)行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高,且通常無(wú)法提供超過(guò)7位的有效位數(shù)(ENOB),這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
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為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)正確選擇無(wú)線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)協(xié)議以實(shí)現(xiàn)新應(yīng)用

- 無(wú)線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)得到了越來(lái)越廣泛的采用,因?yàn)檫@類網(wǎng)絡(luò)能夠利用功率相對(duì)低的無(wú)線電設(shè)備在節(jié)點(diǎn)之間轉(zhuǎn)發(fā)信息,并覆蓋很大的區(qū)域,還能夠使用替代的通路和途徑以克服干擾問題,保持很高的可靠性。尤其是有一種稱為時(shí)間同步通道跳頻 (TSCH) 的網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)技術(shù),該技術(shù)由凌力爾特的 Dust Networks 率先提出,并已納入 WirelessHART 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。TSCH 經(jīng)過(guò)實(shí)用驗(yàn)證,可提供工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)所需性能。TSCH 網(wǎng)絡(luò)一般提供 >99.999% 的數(shù)據(jù)可靠性,而且所有無(wú)線節(jié)點(diǎn) (甚至路由節(jié)點(diǎn)) 的小型鋰電池之
- 關(guān)鍵字: 無(wú)線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò) WSN RF 物聯(lián)網(wǎng) TSCH
elmos慕尼黑電子展:秀我不同

- 說(shuō)起Elmos,也許我們更了解它的競(jìng)爭(zhēng)者英飛凌(Infineon)、美信半導(dǎo)體(Maxim),因?yàn)橄啾戎?,Elmos進(jìn)入中國(guó)的時(shí)間并不長(zhǎng)。但是,我們卻早已開始使用Elmos的產(chǎn)品了:Elmos的超聲波、被動(dòng)紅外以及馬達(dá)控制器芯片在全球的出貨量很大,僅超聲波倒車?yán)走_(dá)芯片全球出貨量就高達(dá)5000萬(wàn)片。此次慕尼黑展商,Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車系統(tǒng)傳感器和馬達(dá)控制器。Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點(diǎn)產(chǎn)品與應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: Elmos 汽車 CMOS
索尼重組看到曙光:股價(jià)昨日創(chuàng)六年新高
- 社長(zhǎng)平井一夫?qū)τ谌毡舅髂岬摹耙粋€(gè)索尼”改造,以失敗告終。不過(guò),在一個(gè)強(qiáng)勢(shì)人物吉田憲一郎(現(xiàn)任CFO)的加盟之下,索尼的重組,正在取得進(jìn)展,并看到曙光。周三,索尼股價(jià)在盤中,創(chuàng)出了六年新高。 根據(jù)日經(jīng)新聞的報(bào)道,周三索尼在盤中的股價(jià)一度達(dá)到3787.5日元(相當(dāng)于31.4美元),這是過(guò)去六年零七個(gè)月中的最高紀(jì)錄。 索尼最大的兩個(gè)業(yè)務(wù)包袱是電視機(jī)和智能手機(jī)。這兩個(gè)“困難戶”的重振,尚未傳出重大捷報(bào)。據(jù)媒體分析,索尼股價(jià)的利好,主要來(lái)自索尼目前在全
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應(yīng)對(duì)5G 全雙工RF加倍無(wú)線通信傳輸速度

- 在大學(xué)的電子工程系課程中,我們?cè)?jīng)學(xué)過(guò)“全雙工”(發(fā)送與接收)必須在不同的頻率或在不同的時(shí)間(技術(shù)上來(lái)說(shuō)是半雙工)中進(jìn)行。也就是說(shuō),如果不是在不同的頻率下同時(shí)進(jìn)行發(fā)射與接收,就是在不同的時(shí)間下以相同頻率發(fā)射與接收。然而,根據(jù)美國(guó)紐約哥倫比亞大學(xué)(Columbia University)的研究人員指出,這種單向的“全雙工”其實(shí)是騙人的。 哥倫比亞大學(xué)研究人員們最近展示一種稱為“哥倫比亞高速與毫米波IC”(CoSMIC)的互補(bǔ)金
- 關(guān)鍵字: 5G CMOS
rf-cmos介紹
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